| 摘要 |
在以WSi2等类制成的布线材料层(14)形成于覆盖在半导体基材(10)的绝缘膜之上后，在布线材料层(14)上连续形成以TiON或TiN制成的第一抗反射涂膜(16)及以有机材料制成的第二抗反射涂膜(18)。光阻图形(20a至20c)以微影方法形成于第二抗反射涂膜(18)之上，实施第二抗反射涂膜(l8)之乾式蚀刻，然后，以光阻图形(20a至20c)与第二抗反射涂膜(18)之图形之为遮罩实施第一抗反射涂膜(16)之乾式蚀刻。以光阻图形(20a至20c)、第二抗反射涂膜(18)之图形(18a至18c)以及第一抗反射涂膜(16)之图形(16a至16c)为遮罩实施布线材料层(14)之乾式蚀刻，再除去光阻图形(20a至20c)以及第二抗反射涂膜(18)之图形(18a至18c)。由包含一布线材料层(14)之图形与第一抗反射涂膜(16)之图形的薄层组成布线层。在第一抗反射涂膜(16)之乾式蚀刻完成后，可除去光阻图形(20a至20c)以及第二抗反射涂膜(18)之图形，布线材料层(14)可藉由第一抗反射涂膜(16)之图形为遮罩实施蚀刻。 |
