增加着陆垫面积的方法

摘要

本篇揭露一种增加着陆垫(landingpad)面积的方法。首先提供一基本结构，其中底材之内以浅沟隔离(shallowtrenchisolation,STI)的方式作电性隔离，且此底材上方具有至少两个已形成隔绝层的闸极且覆盖一介电层，相邻的两闸极问有一接触通道，由介电层的顶部表面穿越介电层至底材;以此基本结构为始，形成一导体于接触通道内，再回蚀介电层，使导体的顶部表面与部分侧壁裸露出来，最后形成一保护层于该导体裸露出来之侧壁上，以扩大着陆垫的面积。在两闸极之间距颇小的情况下，一样能增加着陆垫的面积，可消弭后制程中因校准误差偏移(alignmentaccuracyshift)所造成的困扰。

主权项

1. 一种形成着陆垫(landing pad)的方法,至少包含:提供一底材,该底材之上具有至少两个已形成隔绝层的闸极且覆盖一介电层,其中上述相邻的两闸极间有一接触通道,由该介电层的顶部表面穿越该介电层至该底材;形成一导体于接触通道内;回蚀该介电层,使其顶部表面低于该导体的顶部表面,且该导体的顶部表面与部分侧壁裸露出来;及形成一保护层于该导体所裸露出来之侧壁上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之隔绝层至少包含下列之一:二氧化矽、氮化矽。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层至少包含下列之一:内多晶矽介电层(interpoly dielectric)、二氧化矽。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层至少可用沉积法形成。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导体至少包含经掺杂之多晶矽(doped polysilicon)。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中上述之保护层至少包含下列之一:经掺杂之多晶矽、氮化矽。7.一种形成着陆垫(landing pad)的方法,至少包含:提供一底材,该底材之上已至少包含:至少两个具有顶部与侧壁表面的闸极,且该极的顶部具隔绝层,侧壁具间隙壁,一内多晶矽介电层位于该隔绝层及该间隙壁与该底材之上,相邻的两该闸极间,有一接触通道,由该内多晶矽介电层顶部穿过该内多晶矽介电层至该底材;形成一第一经掺杂之多晶矽于接触通道内;回蚀该内多晶矽介电层,使其顶部表面低于该第一经掺杂之多晶矽的顶部表面,且该第一经掺杂之多晶矽的顶部表面与部分侧壁裸露出来;及形成一第二经掺杂之多晶矽或氮化矽于该第一经掺杂之多晶矽所裸露出来之侧壁上。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之隔绝层至少包含下列之一:二氧化矽、氮化矽。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之间隙壁至少包含氮化矽。10. 如申请专利范围第7项之方法,其中上述之内多晶矽介电层至少可用沉积法形成。