| 主权项 |
1.一种形成接触窗之方法,该方法至少包含下列步骤:提供一矽基板,该矽基板包含一第一导电层形成于其上;形成一氧化层覆盖于该矽基板和该第一导电层之上;形成一光阻层于该氧化层之上;图案化该光阻层;蚀刻该氧化层,以形成一接触窗于该氧化层之中,蚀刻时以图案化之该光阻层为罩幕;以一含氟成份之氧气电浆剥除该光阻层,并蚀刻该氧化层以加深该接触窗之深度;且形成一第二导电层于该接触窗之中,使得第一导电层与第二导电层形成电性连接。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一导电层为含矽成份的之导电层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之含矽成份的导电层为多晶矽。4.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之含矽成份的导电层材料为铝矽铜合金(AlSiCu)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氧化层系选自下列所组成之族群:二氧化矽(SiO2)、硼磷矽玻璃(BPSG)、磷矽玻璃(PSG)、氮氧化矽(SiOxNy)以及五氧化二钽(Ta2O5)。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氟成份为C2F6。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氟成份为C4F8。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氟成份为CF4。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氟成份为:C2F6.C4F8以及CF4所组成之混合物。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导电层为含钛成份的导电层。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导电层为钛金属。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导电层为氮化钛(TiN)。13.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导电层为钛钨合金(TiW)。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导电层为钛金属和氮化钛的双层结构(Ti/TiN)。图式简单说明:第一图为习知技术中,动态随机存取记忆体(DynamicRandom Access Memory;DRAM)以及周边结构的截面图。第二图为习知技术中,动态随机存取记忆体的截面图,以及用传统方法所形成之接触窗结构。第三图为习知技术中,动态随机存取记忆体的截面图,以及形成导电层于传统接触窗中之结构。第四图为用传统方法所形成之接触窗的横截面。第五图为用传统方法所形成之接触窗,以及金属化之后的的横截面。第六图为用本发明所揭露之方法形成的接触窗结构。第七图为用本发明所揭露之方法形成接触窗之后,再形成第二导电层于此接触窗中之结构。 |
