| 主权项 |
1.一种制备金属错合物之方法,该错合物含有二个环戊二烯基或取代之环戊二烯基,该错合物系对应于下列化学式:(Cp)2MD其中:M系氧化态为+2或+4之钛、锆或铪;Cp于每一情况中各自为经由去局部化-电子键结至金属之取代或未取代之环戊二烯基,该取代之环戊二烯基系以一至五个取代基所取代,该取代基系各自选自羟基、矽烷基、锗烷基、卤素、氰基、烃氧基、矽烷氧基、及其混合物,该取代基具有最高达20个非氢原子,或可选择性地,二个此取代基(除氰基或卤素基外)一起使Cp具有熔融多环结构,或一起形成结合二Cp基之键结部份;D为1,3-戊二烯、1,4-二苯基-1,3-丁二烯、1-苯基-1,3-戊二烯、1,4-二苯甲基-1,3-丁二烯、2,4-己二烯、3-甲基-1,3-戊二烯、1,4-二甲苯基-1,3-丁二烯1,4-双-(三甲基甲矽烷基)-1,3-丁二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯或异丙烯,该方法系包括在-10至120℃下,于一脂族烃、醚或环醚溶剂中,使下列化合物互相接触:a)一对应于化学式M'X3或M"X4之第4族金属盐或其路易士硷加合物,b)1,3-戊二烯、1,4-二苯基-1,3-丁二烯、1-苯基-1,3-戊二烯、1,4-二苯甲基-1,3-丁二烯、2,4-己二烯、3-甲基-1,3-戊二烯、1,4-二甲苯基-1,3-丁二烯1,4-双-(三甲基甲矽烷基)-1,3-丁二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯或异丙烯,c)一还原剂,其系为正丁基锂、正丁基MgCl或Al(Et)3,及d)一化学式为CpM*或(Cp-Cp)M*n之化合物,其中,M'系氧化态为+3之钛、锆或铪;M"系氧化态为+4之钛、锆或铪;X一为卤化物、C1-6烃氧基或二(C1-6烃基)醯胺基;D'为一具有与D相同数目碳及与D相同取代型式之未配位二烯;M*为一第1或2族金属阳离子、格勒纳试剂阳离子或三(C1-4烃基)矽烷基;及当M*为第2族金属阳离子时n为1,当M*为第1族金属阳离子、格勒纳试剂阳离子或三烃基矽烷基时,n为2,但,无试剂c)存在时,试剂a)及d)不会彼此接触。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第4族金属盐为锆氯化物或其路易士硷加合物。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第4族金属盐为ZrCl4或ZrCl42THF。 |
