| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包括:一保险丝(fuse),设于一基底上;一第一绝缘层,形成于该基底和该保险丝上;一第一导线,形成于该第一绝缘层上;一第二绝缘层,形成于该第一导线上,该第二绝缘层包括复数个绝缘膜和一吸水性盖层(overcoat);一第二导线,形成于该第二绝缘层上;一开口部,藉由选择性地移除该第二绝缘层对应于该保险丝的部位而形成于其中,其具有由该第二绝缘层露出部分所形成的侧面(side face),以及由该第一绝缘层露出部分所形成的底面(bottom face);一侧壁膜,由相同于该第二导线层的材料所形成,并且覆盖于该开口部露出的侧面上;以及一护膜(passivation film),形成于该第二绝缘层和该侧壁膜上。2.如申请专利范围第1项所述一种半导体装置,其中该吸水性盖层包括一旋附玻璃膜(SOG)。3.如申请专利范围第1项所述一种半导体装置,其中该第二导线和该侧壁膜系在同一步骤中形成的。4.如申请专利范围第1项所述一种半导体装置,更包括一处置(dummy)导线,其形成于该开口部的周边区域,并且具有一从该开口部侧面凸出的部分。5.如申请专利范围第4项所述一种半导体装置,其中该处置导线凸出的部分系被该侧壁膜所覆盖。6.一种半导体装置,其包括:一基底,其中设有一保险丝;一第一导线,形成于该基底上;一第一绝缘层,形成于该第一导线上;一盖层,用以平坦化该第一绝缘层中由于第一导线所造成的阶梯(step)部分;一第二绝缘层,形成于该第一绝缘层和该盖层上;一第二导线,形成于该第二绝缘层上;一开口部,藉由选择性地移除该第一和第二绝缘层位于该保险丝上的部分以露出该基底而形成;以及一导电性覆膜(cover film),覆盖在该开口部的整个侧面上。7.如申请专利范围第6项所述一种半导体装置,更包括一护膜(passivation film),形成于该第二导线、该第二绝缘层、和该覆膜上。8.如申请专利范围第6项所述一种半导体装置,其中该盖层包括一旋涂(覆)玻璃膜(SOG)。9.如申请专利范围第6项所述一种半导体装置,其中该第二导线和该侧壁膜系在同一步骤中形成的。10.如申请专利范围第6项所述一种半导体装置,更包括一处置(dummy)导线,其形成于该开口部的周边区域,并且具有一从该开口部侧面凸出的部分。11.如申请专利范围第10项所述一种半导体装置,其中该虚置导线凸出的部分系被该侧壁膜所覆盖。12.一种半导体装置,其包括:一基底,其中设有一保险丝;一环型虚置(dummy)导线,形成于该基底上且对应于该保险丝的部位;一绝缘层,形成于该虚置导线的周边区域,其具有一包含多层导线而覆盖部分该虚置导线的侧面;以及一导电性覆膜(cover film),覆盖在该绝缘层和该虚置导线的整个侧面上。13.如申请专利范围第12项所述一种半导体装置,其中该覆膜系以相同于该多层导线中最上层者之材料,在同一步骤中所形成的。图式简单说明:第一图为根据本发明第一实施例之半导体装置的平面图;第二图为第一图中沿A-A线所作的剖面图;第三图为根据本发明第二实施例之半导体装置的平面图;第四图为第三图中沿A-A线所作的剖面图;以及第五图(a)至第五图(d)均为剖面图,显示制造第二实施例之半导体装置的制造流程。 |
