| 摘要 |
<p>Support de substrat amélioré comprenant une électrode supportant une bague de centrage et un substrat, un élément isolant entourant cette électrode et cette bague de centrage, un élément de masse entourant l'élément isolant et une bague de centrage entourant le substrat. Cette bague de centrage permet d'obtenir une impédance RF pratiquement équivalente à l'impédance RF du substrat. Procédé de traitement d'un substrat mettant en application ce support de substrat amélioré et permettant de diminuer le phénomène d'arc entre le bord du substrat et la bague de centrage. Ce procédé consiste à placer la bague de centrage sur l'électrode, à positionner le substrat sur l'électrode et à traiter le substrat. Egalement, procédé servant à contrôler la température de la bague de centrage et la température du substrat au moyen de ce support amélioré et consistant à placer la bague de centrage sur l'électrode, à placer le substrat sur l'électrode, à fixer la bague de centrage et le substrat à l'électrode au moyen d'une pince électrostatique, à alimenter en gaz de transfert thermique l'espace situé entre la bague de centrage et l'électrode, ainsi que l'espace entre le substrat et l'électrode, et à contrôler la température de l'électrode.</p> |
