| 主权项 |
1.一种在半导体基底上形成电容器的方法,包括下列步骤:形成一内介电层于一半导体基底上;于该内介电层中形成一开口,露出该基底上之一接触区;于该开口底部形成一导电插塞,与该接触区作电性连接;于该开口侧壁形成一导电侧壁层;于该导电侧壁层的侧壁形成一介电侧壁层,且该介电侧壁层在该开口中定义出一通道;于该通道中填入一导电材料以形成一导电柱;选择性地去除该介电侧壁层,留下该导电侧壁层、该导电柱、及该导电插塞作为该电容器之下电极;于该下电极表面上形成一电容介电层;以及于该电容介电层上形成一导电层,作为该电容器之上电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该内介电层包括硼磷矽玻璃层(BPSG)。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该内介电层的最上层具有一蚀刻阻障层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该蚀刻阻障层为氧化矽或氮氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该开口是以自对准的方式被蚀刻对应于该接触区。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电插塞、该导电侧壁层、该导电柱为in-situ掺杂的复晶矽层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电侧壁层为氧化矽层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该介电侧壁层系以氢氟酸气体加以去除。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电柱大致上位于该开口的中央。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括:形成一半球形粒状复晶矽于该下电极表面。11.一种在半导体基底上形成电容器的方法,包括下列步骤:形成第一介电层于一半导体基底上;于该第一介电层中形成一开口,以露出该基底上之一接触区;形成第一导电层于该第一介电层上,并填满上述开口;回蚀刻该第一导电层,以在该开口底部形成一导电插塞,与该接触区作电性连接;形成第二导电层于该开口中及该第一介电层上;非等向性地回蚀刻该第二导电层,以在该开口侧壁形成一导电侧壁层;形成第二介电层于该开口中及该第一介电层上;非等向性地回蚀刻该第二介电层,以在该导电侧壁层的侧壁形成一介电侧壁层,且该介电侧壁层在该开口中定义出一通道;于该通道中填入第三导电层以形成一导电柱;选择性地去除该介电侧壁层,留下该导电侧壁层、该导电柱、及该导电插塞作为该电容器之下电极;于该下电极表面上形成一电容介电层;以及于该电容介电层上形成一导电层,作为该电容器之上电极。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一介电层包括硼磷矽玻璃层(BPSG)。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一介电层的最上层具有一蚀刻阻障层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该蚀刻阻障层为氧化矽或氮氧化矽。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该开口是以自对准的方式被蚀刻对应于该接触区。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一导电层是以反应性离子蚀刻程序加以蚀刻。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该导电插塞、该导电侧壁层、该导电柱为in-situ掺杂的复晶矽层。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该介电侧壁层为氧化矽层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该介电侧壁层系以氢氟酸氧体加以去除。20.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该介电柱大致上位于该开口的中央。21.如申请专利范围第11项所述之方法,其中更包括:形成一半球形粒状复晶矽于该下电极表面。图式简单说明:第一图-第七图为一系列剖面图,用以说明本发明一较佳实施例制作DRAM电容器的流程。 |
