| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Kommutators mit einer Mehrzahl von Leitersegmenten (1) und mindestens einem ringförmigen, sich in einer zur Kommutatorachse (2) senkrechten Ebene erstreckenden und an den Leitersegmenten (1) an jeweils einem Sitz (10) angreifenden Verstärkungselement (11), wobei das Verstärkunselement (11), wobei das Verstärkungselement (11) an den Leitersegmenten (1) angebracht wird, nachdem diese in einer zur Kommutatorachse (2) konzentrischen Position angeordnet wurden, ist das Verstärkungselement (11) in situ aus mehreren Windungen eines Fadens (12) gewickelt.</p> |
