半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法

摘要

一种半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法，包含一在至少400℃之温度环境下，将一金属材料溅镀于一半导体元件上的金属溅镀步骤；一以选择性蚀刻方式将未反应及反应后剩余之金属材料去除的蚀刻步骤；及一以快速升温回大方式来形成一自行对准金属矽化物层的高温回火步骤。据此，则可藉由高温金属溅镀方式，而在金属溅镀过程中同时形成中间体，如此，则吁于自行对准金属矽化物制程中减少一次快速升温日大，进而减少生产时间、增加良率、降低成本。

主权项

1.一种半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法,包括:一金属溅镀步骤,系在至少400℃之温度环境下,将一金属材料溅镀于该半导体元件上;一蚀刻步骤,系以选择性蚀刻方式将未反应及反应后剩余之金属材料去除;及一高温回火步骤,系以快速升温回火方式来形成一自行对准金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法,其中该金属材料为钴。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法,其中于该金属溅镀步骤中,温度环境系400℃-450℃。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法,其中于高温回火步骤中系快速升温至800℃左右,维持30秒。5.如申请专利范围第2项所述之半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法,其中该自行对准金属矽化物层为CoSi2。图式简单说明:图1系说明本发明之半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法之一示意图,其系为一形成有上钴矽化物层之MOS元件的剖面侧视图。图2系说明本发明之半导体元件之自行对准金属矽化物层形成方法之另一示意图,其系表示图1所示之元件经蚀刻步骤与高温回火步骤后的MOS元件的剖面侧视图。