半导体单结晶制造装置之熔融液承接装置

摘要

一种cz法半导体单结晶制造装置，可阻挡主腔室底部不受坩埚破损等所流出之熔融液或伴随之落下的坩埚片，而能够防止主腔室破损之水蒸气爆炸。装在主腔室9之底部之熔融液承接装置1乃由碳纤维之绝热材3及包覆绝热材3之表面的高强度c/c碳所构成之盖部2及底板4所构成。在盖部2之上面设有能贮留石英坩埚7内之熔融液全量之环状沟2a。流出之熔融液或破损之落下物被熔融液承接装置阻挡，不到达主腔室之底部，熔融液承接装置由绝热材之熔融液吸收层及石墨或高强度C/C碳片之熔融液层遮层所构成。

主权项

1.一种装在捷可拉斯基法之半导体单结晶制造装 置之主腔室底部的熔融液承接装置,其特征在于由 绝热材,包覆绝热材之表面之高强度碳纤维强化碳 复合材料所构成之盖部及底板所构成,在前述盖部 之上面具备有贮留由坩埚流出之熔融液,保护主腔 室不受破损之坩埚等重物破损之环状沟。2.如申 请专利范围第1项所述之半导体单结晶制造装置之 主腔室底部的熔融液承接装置,其特征乃由绝热材 所构成之熔融液吸收层及由石墨或高强度碳纤维 强化碳复合材料所构成之熔融液遮断部所构成。3 .如申请专利范围第1或第2项之半导体单结晶制造 装置之主腔室底部的熔融液承接装置,其特征在于 具有将坩埚内之熔融液全量贮留或吸收之能力。 图式简单说明: 第1图为装着本发明之第1实施例之熔融液承接装 置的半导体单结晶制造装置之部份纵示意剖面图; 第2图为熔融液承接装置之部份上视图; 第3图为沟形状不同之4个例子之熔融液承接装置 之纵剖面图; 第4图为本发明之第2实施例之熔融液承接装置之 二个例子之纵剖面图; 第5图为装有习知之熔融液承接装置之半导体单结 晶制造装置之部份纵剖面图。