可控硅多路协同调压方式

摘要

本发明是一种可控硅多路协同调压方式，将存储器的地址总线分为导通角控制和主控地址两部分，使存储器内的存储单元被划分为p个页面，每页m个存储单元；导通角控制用于页内寻址，它通过输入一组与预先确定的可控硅导通时刻T0、T1...Tn一一对应的地址序列，使页内单元按T0、T1...Tn时刻依次读出；利用事先写有触发信号的存储单元的被读出时刻，控制可控硅的导通角；由于每个存储单元均有多位数据，因而每个页面可编辑它们的一个导通角组合；主控地址用于页面选择，控制电路只需给出页面号，通过它即可得到预先编辑的导通角组合。本发明的优点是：能直接受控于数字设备，又能实现多路协同控制，易于修改，易于大批量生产，产品一致性好。

主权项

1、一种可控硅多路协同调压方式，其特征是将存储器的地址总线分为导通角控制和主控地址两个部分，使得存储器内的存储单元被划分为p个页面，每页m个存储单元，主控地址宽度决定p的大小，导通角控制的地址总线宽度决定了存储单元m的大小；导通角控制用于页内寻址，它通过输入一组与预先确定的可控硅导通时刻T0、T1…Tn一一对应的地址序列，使页内单元按T0、T1…Tn时刻依次读出；利用事先写有触发信号的存储单元的被读出时刻，控制可控硅的导通角；由于每个存储单元均有多位数据，因而每个页面可编辑它们的一个导通角组合；主控地址用于页面选择，控制电路只需给出页面号，通过它即可得到预先编辑的导通角组合，从而达到多路协同调压的目的。