| 发明名称 |
熔盐提拉法生长LBO晶体 |
| 摘要 |
熔盐提拉法生长LBO晶体涉及一种生长LBO(LiB<SUB>3</SUB>O<SUB>5</SUB>，三硼酸锂)晶体的新工艺技术。采用一种改进的助熔剂生长方法——熔盐提拉法，即用助熔剂法结合提拉技术来生长LBO晶体。该方法采用30～80wt.％的B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或Li<SUB>2</SUB>MoO<SUB>4</SUB>为助熔剂，加入0.1～5wt.％的LiF或KF或NaF或Li<SUB>2</SUB>MoO<SUB>4</SUB>等为添加剂，降温速率为0.5～3℃/天，转速为5～30转/分钟，提拉速度为0.3～3mm/天。生长周期比传统的LBO生长方法缩短了约50％，得到的晶体最大尺寸达φ80×35mm，生长成本降低了30％以上。 |
| 申请公布号 |
CN1443878A |
申请公布日期 |
2003.09.24 |
| 申请号 |
CN02104916.5 |
申请日期 |
2002.03.08 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
王国富;林州斌;胡祖树;何美云 |
| 分类号 |
C30B15/00;C30B9/12;C30B29/22 |
主分类号 |
C30B15/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.熔盐提拉法生长LBO晶体，是将助熔剂法和提拉法结合起来，用于快速生长LBO晶体的方法，其特征在于：用B2O3或Li2MoO4作助熔剂，其加入量为30～80wt.％；在熔液中加入0.1～5wt.％的LiF或KF或NaF或Li2MoO4等为添加剂；降温速率为0.5～3℃/天；提拉速度为0.3～3mm/天；转速为5～30转/分钟。 |
| 地址 |
350002福建省福州市西河 |
