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发明名称
PROCESS FOR CONTROLLING THERMAL HISTORY OF VACANCY-DOMINATED, SINGLE CRYSTAL SILICON
摘要
申请公布号
EP1346086(A2)
申请公布日期
2003.09.24
申请号
EP20010989767
申请日期
2001.11.26
申请人
MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.
发明人
KOJIMA, MAKOTO;ISHII, YASUHIRO
分类号
C30B15/00;C30B15/14;(IPC1-7):C30B29/06
主分类号
C30B15/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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