发明名称 Semiconductor memory device e.g. DRAM has MOS transistor which shares source region of bitline isolation transistors
摘要 <p>The bitline isolation transistors electrically connect/isolate the respective bitline to/from a sense amplifier (120). A MOS transistor shares the source regions of the isolation transistors.</p>
申请公布号 DE10154879(A1) 申请公布日期 2002.07.18
申请号 DE2001154879 申请日期 2001.11.06
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KANG, SANG-SEOK;LEE, YUN-SANG;CHOI, JONG-HYUN;JOO, JAE-HOON
分类号 G11C11/407;G11C7/12;G11C11/4094;H01L27/108;(IPC1-7):G11C11/401 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
主权项
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