| 发明名称 | 制造半导体器件电容器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种使电容器电极工作稳定并改善半导体器件的工作特性和可靠性的制造半导体器件电容器的方法。该方法包括以下各步骤：制备一块半导体基片；在该基片上形成绝缘层；通过选择去除下绝缘层形成接触孔；在接触孔内形成柱塞；在其上形成Ti/TiN膜；在Ti/TiN膜上形成第一氧化钌膜；在第一氧化钌膜上形成第一SOG膜；将离子注入到第一SOG膜的表面；在第一SOG膜上形成第二SOG膜，然后选择去除第一和第二SOG膜；利用第一和第二SOG膜作掩模腐蚀第一氧化钌膜Ti/TiN和膜；去除第一和第二SOG膜，然后在裸露的表面上形成介质膜；以及在介质膜上形成第二氧化钌膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1122306C | 申请公布日期 | 2003.09.24 |
| 申请号 | CN99123981.4 | 申请日期 | 1996.06.26 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 崔璟根 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件电容器的方法，该方法包括以下各步骤：(a)在半导体衬底上形成具有接触孔的绝缘层图形，其中所述接触孔露出所述半导体衬底的预定部分；(b)在所述接触孔中形成柱塞；(c)在所述柱塞上形成具有第一氮化钛膜图形和氧化钌膜图形的叠层结构；(d)在所述得到的结构的整个表面上形成具有高介电常数的介质膜；和(e)在所述介质膜上形成上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||