| 发明名称 | 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成条纹状图案的籽晶部分，缓冲层夹在其间。接着，在两阶段生长条件下自籽晶部分生长晶体以形成氮化物半导体层。在第一阶段(A)在1030℃的生长温度下形成具有梯形形状横截面的低温生长部分，并在第二阶段(B)在1070℃的生长温度下主要进行横向生长以形成低温生长部分之间的高温生长部分。由此，在低温生长部分之上的氮化物半导体层表面中减少了小丘和常规晶格缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1444254A | 申请公布日期 | 2003.09.24 |
| 申请号 | CN03128602.X | 申请日期 | 2003.02.27 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 后藤修;浅野竹春;竹谷元伸;簗嶋克典;池田真朗;涉谷胜义;铃木康彦 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00;C30B29/40 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体，包括：由III-V族氮化物半导体构成的第一籽晶部分；由III-V族氮化物半导体构成并自第一籽晶部分生长以具有三角形或梯形形状横截面的第二籽晶部分；以及由III-V族氮化物半导体构成且基于第二籽晶部分生长的半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||