| 发明名称 | 生产松弛SiGe基质的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种松弛SiGe基质的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅基质上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>)层；用离子化的分子氢(H<SUB>2</SUB><SUP>+</SUP>)注入单晶硅锗(Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>)层；至少退火单晶硅锗(Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>)层转换为松弛Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层。 | ||
| 申请公布号 | CN1444253A | 申请公布日期 | 2003.09.24 |
| 申请号 | CN03106094.3 | 申请日期 | 2003.02.24 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 马哲申;道格拉斯·詹姆斯·特威滕;许胜籘;李宗霑 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1、一种松弛SiGe基质的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅基质上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1-xGex)；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1-xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1-xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1-xGex)层转换为松弛Si1-xGex层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||