金属氧化物半导体场效应晶体管制造方法

摘要

一种MOSFET结构及其制造方法，其中不用任何掩模而是用自对准栅掩模，不在源附近形成轻掺杂区。该结构包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的栅氧化膜和栅极；形成于半导体衬底中的第一高浓度杂质区，该区与栅极一侧相邻；形成于半导体衬底中的轻掺杂区，该区与栅极的另一侧相邻，及与轻掺杂区相邻形成的第二高浓度杂质区。

主权项

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅氧化膜和多晶硅膜；利用栅极掩模构图多晶硅膜，以形成栅极；向栅极两侧的半导体衬底中离子注入轻掺杂杂质，在半导体衬底中形成第一轻掺杂区和第二轻掺杂区；在栅极和半导体衬底的整个表面上形成掩蔽层；通过向第二轻掺杂区偏移栅极掩模，构图掩蔽层，形成局部掩模，覆盖栅极和第二轻掺杂区的一部分；及向局部掩模两侧的半导体衬底中注入高浓度杂质。