| 发明名称 | 薄膜压电元件 | ||
| 摘要 | 通过控制形成压电薄膜时施加的压力并提供具有钙化钛结构的压电薄膜，可以产生一个具有改进的和稳定的特性的压电薄膜。一个薄膜压电元件，其中衬底上形成一个下电极、上述下电极上形成含铅的压电薄膜、上电极又被摆放在上述压电薄膜上。该压电薄膜的特征在于它是一个具有钙钛矿结构的电介质，该结构的主要成份是铅、锆、和钛，它的构成范围是总的压电薄膜的Zr/(Zr+Ti)的组成比率不小于0.53，它是一个四边形晶体结构，其中c轴比a轴长。 | ||
| 申请公布号 | CN1444777A | 申请公布日期 | 2003.09.24 |
| 申请号 | CN01813370.3 | 申请日期 | 2001.07.23 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 神野伊策;原慎太郎;中野贵德 |
| 分类号 | H01L41/08 | 主分类号 | H01L41/08 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种薄膜压电元件，其中衬底上形成一个下电极、上述下电极上形成含铅的压电薄膜、上述压电薄膜上进一步设置一上电极，其特征在于所述压电薄膜是一个具有钙钛矿结构的电介质，该结构的主要成份是铅、锆、和钛，它的构成范围是在总的压电薄膜成分中Zr/(Zr+Ti)的组成比率等于或大于0.53，它是一个四边形晶体结构，其中c轴比a轴长。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府门真市 | ||