| 发明名称 | 通孔填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种通孔填充方法，其中在薄镀后，施加1－50毫秒的正向电解时间和0.2－5毫秒的反向电解时间为一个周期的PPR电流，直到表示正向电解电流密度与反向电解电流密度的比值的F/R比值为至少1/0.2并小于1/1为止。 | ||
| 申请公布号 | CN1444437A | 申请公布日期 | 2003.09.24 |
| 申请号 | CN03122606.X | 申请日期 | 2003.01.15 |
| 申请人 | 希普雷公司 | 发明人 | 土田秀树;日下大 |
| 分类号 | H05K3/42 | 主分类号 | H05K3/42 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭建新 |
| 主权项 | 1.一种用金属填充通孔的方法，包括下列步骤：薄镀，然后施加正向电解时间为1-50毫秒和反向电解时间为0.2-5毫秒作为一个周期的PPR电流，使表示正向电解电流密度与反向电解电流密度的比值的F/R比值为1/0.2至1/1。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞 | ||