用于生产半导体衬底的方法

摘要

生产半导体衬底的方法，对第一衬底的表面阳极化形成多孔层；在多孔层表面和第一衬底与多孔层一侧相对侧的表面上同时形成半导体层；把多孔层表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底使多孔层表面上形成的半导体层转换到第二衬底上，从而在第二衬底的表面上提供半导体层。这使得可以以低的成本生产半导体衬底，同时可很好地利用昂贵的衬底材料。

主权项

1.一种用于生产半导体衬底的方法，包括下述步骤：第一步，对第一衬底的表面阳极化，从而在其表面形成多孔层；第二步，在多孔层的表面上和在第一衬底的与多孔层一侧相对的一侧的表面上同时形成半导体层；第三步，把在多孔层的表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；第四步，在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底，从而使在多孔层的表面上形成的半导体层转换到第二衬底上，借以在第二衬底的表面上提供半导体层；以及第五步，除去作为分离的结果留在第一衬底的表面上剩余的多孔层，第五步之后进行第一步，从而重复第一步到第五步，以便使用同一个第一衬底在多个第二衬底的表面上形成半导体层。