制造快闪记忆体单元之方法

摘要

本发明系关于一种制造快闪记忆体单元之方法。在蚀刻法之后，用以形成控制闸极之清洗制程执行期间，聚合物留在矽化钨层之侧壁。因此，矽化钨层之侧壁受到保护以免于后续之自我对准蚀刻处理。此外，在自我对准蚀刻法时，使用HBr／O2之混合气体，充份地取得矽化钨层对多晶矽层之蚀刻选择比。所以，可防止矽化钨层侧壁之蚀刻伤害。因此可改良制程之可靠度及电子特征。