| 摘要 |
一种用来处理一半导体晶圆的电浆反应器，该半导体晶圆具有小于该反应器的真空室的晶圆直径，该电浆反应器具有一晶圆支撑托盘于该真空室内其由该真空室的地板向上延伸。该晶圆支撑托盘包括一上层其具有一大致平的表面用来支撑该晶圆，该上层具有一直径其等于该晶圆直径。在该上层底下有一导电基座其支撑着该上层，该导电基座具有一至少与该晶圆直径一样大的直径。一射频(RF)功率输出端子位在该真空室的地板底下用来将功率传输通过一位在该晶圆支撑托盘内且与该晶圆支撑托盘的轴线平行的长形内导体，该长形内导体具有一底端其连接至该RF功率输出端子及一顶端其终止于该导电基座处。一与该内导体同轴的中空圆柱形外导体具有一直径其小于中空的圆柱形衬壁的直径且与该长形内导体相间隔一同轴的间隙。一导电的上接地(ground)平面环形套圈与该内及外导体大致同轴且位在一接近该内导体的顶端的平面上，该导电的上接地平面环形套圈具有一内缘其连接至该中空圆柱形的外导体及一外缘其耦合至一地极电位。 |
