| 主权项 |
1.一种具载体之转印式铜箔制造方法,包括下述步骤:(1)提供一载体,该载体具有一第一表面;(2)于该载体之第一表面形成一金属介质层;(3)于该金属介质层表面化学电镀铜,以形成一附着于该载体之铜箔层。2.如申请专利范围第1项所述具载体之转印式铜箔制造方法,其中,该步骤(2)系藉物理气相沉积方式形成该金属介质层。3.如申请专利范围第2项所述具载体之转印式铜箔制造方法,其中,该步骤(2)采用之物理气相沉积方式系为真空电镀法。4.如申请专利范围第2项所述具载体之转印式铜箔制造方法,其中,该步骤(2)采用之物理气相沉积方式系为真空溅镀法。5.如申请专利范围第2项所述具载体之转印式铜箔制造方法,其中,该步骤(2)采用之物理气相沉积方式系为离子枪法。6.如申请专利范围第1至5项中任一项所述具载体之转印式铜箔制造方法,更包括介于该步骤(1)及(2)间,将该第一表面经清洁处理之步骤(1-1)。7.如申请专利范围第6项所述具载体之转印式铜箔制造方法,更包括于该步骤(1-1)之后,将该第一表面经粗化处理之步骤(1-2)。8.如申请专利范围第1至5项中任一项所述具载体之转印式铜箔制造方法,更包括于该步骤(3)之后,将该铜箔层表面经粗化处理之步骤(4)。9.一种具载体之转印式铜箔制造方法,包括下述步骤:(1)提供一载体,该载体具有一第一表面;(2)于该载体之第一表面藉物理气相沉积方式形成一铜箔层。10.如申请专利范围第9项所述具载体之转印式铜箔制造方法,其中,该步骤(2)采用之物理气相沉积方式系为真空电镀法。11.如申请专利范围第9项所述具载体之转印式铜箔制造方法,其中,该步骤(2)采用之物理气相沉积方式系为真空溅镀法。12.如申请专利范围第9项所述具载体之转印式铜箔制造方法,其中,该步骤(2)采用之物理气相沉积方式系为离子枪法。13.如申请专利范围第9至12项中任一项所述具载体之转印式铜箔制造方法,更包括介于该步骤(1)及(2)间,将该第一表面经清洁处理之步骤(1-1)。14.如申请专利范围第13项所述具载体之转印式铜箔制造方法,更包括于该步骤(1-1)之后,将该第一表面经粗化处理之步骤(1-2)。15.如申请专利范围第9至12项中任一项所述具载体之转印式铜箔制造方法,更包括于该步骤(2)之后,将该铜箔层表面经粗化处理之步骤(3)。图式简单说明:第一图系一习知印刷电路板用铜箔制造装置操作状态侧视示意图;第二图系一习知铜箔基板之铜箔正常状态局部剖视示意图;第三图系一习知铜箔基板经正常雷射穿孔后之局部剖视示意图;第四图系一习知铜箔基板经不当雷射穿孔而形成扩孔现象后之局部剖视示意图;第五图系一习知铜箔基板制造方法之第一操作状态侧视示意图;第六图系第一图之习知铜箔基板制造方法之第二操作状态侧视示意图;第七图系本发明较佳实施例之流程图;第八图系由该较佳实施例所产出之具载体之转印式铜箔成品侧视示意图;第九图系将第八图中具载体之转印式铜箔成品与一基板材料层叠置压合侧视示意图;第十图系将第九图所示整体组件拆解后之侧视示意图,其中铜箔基板业经取出;及第十一图系自第九图拆解步骤后获得之铜箔基板侧视示意图。 |
