| 主权项 |
1.一种以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,适用于一基底上,包括下列步骤:于该基底上形成一非晶质含氢碳化矽薄膜;于该非晶质含氢碳化矽薄膜上涂布一含版模高分子之奈米孔洞二氧化矽薄膜的前驱物溶液;以及对于该基底施行锻烧制程,使得该二氧化矽薄膜的前驱物溶液形成具有规则排列之奈米孔洞之二氧化矽薄膜,且呈现疏水性。2.如申请专利范围第1项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该非晶质含氢碳化矽薄膜系做为蚀刻终止层之用。3.如申请专利范围第1项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该非晶质含氢碳化矽薄膜系做为双层镶嵌制程中的蚀刻终止层之用。4.如申请专利范围第1项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该锻烧制程之制程温度是350~450℃。5.如申请专利范围第1项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该锻烧制程之制程时间是30~60分钟。6.如申请专利范围第1项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,更包括于施行锻烧制程之前,对于该含版模高分子之奈米孔洞二氧化矽薄膜的前驱物溶液施行烘烤制程,该烘烤制程之制程参数是75 ~ 110℃,30 ~ 60分钟。7.如申请专利范围第1项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,于施行锻烧制程之时,该非晶质含氢碳化矽薄膜与该奈米孔洞二氧化矽薄膜作用,而呈现疏水性。8.如申请专利范围第1项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,形成该非晶质含氢碳化矽薄膜系使用高密度电浆化学气相沈积法。9.一种以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,适用于一基底上,包括下列步骤:于该基底上形成一非晶质含氢碳化矽薄膜;于该非晶质含氢碳化矽薄膜上涂布一含版模高分子之奈米孔洞二氧化矽薄膜的前驱物溶液;对于该基底施行烘烤制程;以及对于该基底施行锻烧制程,使得该二氧化矽薄膜的前驱物溶液形成具有规则排列之奈米孔洞之二氧化矽薄膜,且使该非晶质含氢碳化矽薄膜与该奈米孔洞二氧化矽薄膜作用,而呈现疏水性。10.如申请专利范围第9项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该非晶质含氢碳化矽薄膜系做为蚀刻终止层之用。11.如申请专利范围第9项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该非晶质含氢碳化矽薄膜系做为双层镶嵌制程中的蚀刻终止层之用。12.如申请专利范围第9项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该锻烧制程之制程温度是350~450℃。13.如申请专利范围第9项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该锻烧制程之制程时间是30~60分钟。14.如申请专利范围第9项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,该烘烤制程之制程参数是75~110℃,30~60分钟。15.如申请专利范围第9项所述之以非晶质含氢碳化矽薄膜改进奈米孔洞二氧化矽薄膜介电特性之制作方法,其中,形成该非晶质含氢碳化矽薄膜系使用高密度电浆化学气相沈积法。图式简单说明:第1A-1C图系显示本发明可能之作用机制。第2图系显示本发明之制程流程图。第3图系显示以欧杰电子能谱分析,可明显观察到经过400℃锻烧后,碳元素均匀分布在奈米孔洞二氧化矽薄膜中的纵深分析图。第4图系显示化学分析电子能谱图(electronspectroscopy for chemical analysis,ESCA)。曲线(A)仅非晶质含氢碳化矽薄膜的化学分析电子能谱图,曲线(B)为以非晶质含氢碳化矽薄膜做为下方蚀刻终止层并进行缎烧制程后之奈米孔洞二氧化矽薄膜的化学分析电子能谱图。第5图系显示热脱附质谱仪测量甲烷气体从非晶质含氢碳化矽薄膜热脱附情形,在350℃左右即有甲烷气体产生。第6图系显示经过15天的电性观察,奈米孔洞二氧化矽薄膜/非晶质含氢碳化矽薄膜之有效介电系数变化(effective dielectric constant)情形。 |
