| 主权项 |
1.一种剥离方法,用于从基底将剥离层剥离,包含:形成该剥离层,该剥离层由基底上具有拉伸应力的第一材料层和具有压缩应力并至少与该基底上的第一材料层相邻提供的第二材料层组成;以及然后藉由物理方式在该第二材料层内或该第二材料层的介面中从支承该第一材料层的基底,将该剥离层剥离。2.如申请专利范围第1项之剥离方法,其中第一材料层的拉伸应力的范围为1到11010(Dyne/cm2)。3.如申请专利范围第1项之剥离方法,其中该第二材料层的压缩应力的范围为-1到-11010(Dyne/cm2)的范围内。4.一种剥离方法,从基底上将剥离层剥离,包含:形成该剥离层,该剥离层由该基底上的第一材料层以及具有压缩应力并至少与该基底上的该第一材料层相邻提供的第二材料层组成;以及然后藉由物理方式在该第二材料层内或该第二材料的介面中从支承该第一材料层的该基底将该剥离层剥离。5.如申请专利范围第4项之剥离方法,其中该第一材料层刚在剥离前具有拉伸应力的范围为1到11010(Dyne/cm2)。6.如申请专利范围第4项之剥离方法,其中在剥离之前进行热处理或雷射光束照射处理。7.如申请专利范围第4项之剥离方法,其中该第一材料层在刚形成之后具有压缩应力,刚剥离之前具有拉伸应力。8.如申请专利范围第4项之剥离方法,其中刚剥离之前,该第二材料层具有在-1到-11010(Dyne/cm2)范围内的压缩应力。9.一种剥离方法,从基底将剥离层剥离,包含:形成该剥离层,该剥离层由该基底上具有拉伸应力的第一材料层和具有压缩应力并至少与该基底上的该第一材料层相邻提供的第二材料层组成;将支撑体黏结到剥离层;以及随后藉由物理方式在该第二材料层内或该第二材料层的介面中,从支承该第一材料层的该基底上将该剥离层剥离。10.一种剥离方法,从基底上将剥离层剥离,包含:形成该剥离层,该剥离层由该基底上的第一材料层以及具有压缩应力并至少与该基底上的该第一材料层相邻提供的第二材料层组成;将支撑体黏结到剥离层,以及然后藉由物理方式在该第二材料层内或该第二材料层的介面中从支承该第一材料层的该基底上将该剥离层剥离。11.如申请专利范围第10项之剥离方法,其中该第一材料层在形成之后即刻具有压缩应力,在剥离之前即刻具有拉伸应力。12.如申请专利范围第9项之剥离方法,其中在将该支撑体黏结到该剥离层之前,进行热处理或雷射光束照射处理。13.如申请专利范围第10项之剥离方法,其中在将该支撑体黏结到该剥离层之前,进行热处理或雷射光束照射处理。14.一种半导体装置之制造方法,包含:在基底上形成具有拉伸应力的第一材料层;在该第一材料层上形成具有压缩应力的第二材料层;在该第二材料层上形成绝缘层;在该绝缘层上形成元件;将支撑体黏结到该元件;接着藉由物理方式在该第二材料层内或该第二材料层的介面中,从该基底上将该支撑体剥离;以及将传送体黏结到该绝缘层或该第二材料层以将该元件夹在该支撑体和该传送体之间。15.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中该支撑体是膜基底或基底。16.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中该传送体是膜基底或基底。17.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中将该支撑体黏贴到该元件之前,进行热处理或雷射光束照射处理。18.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中藉由该物理方式剥离之前,进行热处理或雷射光束照射处理。19.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中该元件为具有半导体层作为主动层的薄膜电晶体,并且藉由热处理或雷射光束照射处理晶化具有非晶结构的半导体层进行形成该半导体层的步骤以晶化并形成具有结晶结构的半导体层。20.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中该支撑体是相反基底,该元件具有图素电极,液晶封在该图素电极和该相反基底之间。21.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中该支撑体为密封材料,该元件是发光元件。22.一种半导体装置的制造方法,包含:在基底上形成第一材料层;在该第一材料层上形成具有压缩应力的第二材料层;在该第二材料层上形成绝缘层;在该绝缘层上形成元件;将支撑体黏结到该元件;随后藉由物理方式在该第二材料层内或该第二材料层的介面中,从该基底上将该支撑体剥离;以及将传送体黏结到该绝缘层或该第二材料层并将该元件夹在该支撑体和该传送体之间。23.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中该第一材料层在形成之后即刻具有压缩应力,在剥离之前即刻具有拉伸应力。24.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中该支撑体是膜基底或基底。25.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中该传送体是膜基底或基底。26.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中在将该支撑体黏贴到该元件之前,进行热处理或雷射光束照射处理。27.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中在藉由该物理方式剥离之前,进行热处理或雷射光束照射处理。28.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中该元件为具有半导体层作为主动层的薄膜电晶体,并且藉由热处理或雷射光束照射处理晶化具有非晶结构的半导体层进行形成半导体层的步骤以晶化并形成具有结晶结构的半导体层。29.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中该支撑体是相反基底,该元件具有图素电极,液晶封在该图素电极和该相反基底之间。30.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中该支撑体为密封材料,该元件是发光元件。31.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中该半导体装置被组合到选自以下组成的组中之一:个人电脑、视频相机、移动电脑、护目镜型显示器、使用记录媒体的播放器,数位相机、行动电话、电子书以及显示器。32.如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法,其中该半导体装置被组合到选自以下组的组中之一:个人电脑、视频相机、移动电脑、护目镜型显示器、使用记录媒体的播放器,数位相机、行动电话、电子书以及显示器。图式简单说明:图1A到1C显示实施例1;图2A到2C显示实施例2;图3A到3D显示实验;图4A到4C显示实施例3;图5A到5C显示实施例4;图6A到6D显示主动矩阵基底的制造步骤;图7A到7C显示主动矩阵基底的制造步骤;图8显示主动矩阵基底;图9A到9D显示例2;图10A到10E显示例3;图11显示例4;图12显示例5;图13A到13D显示例6;图14A到14C显示例7;图15和15B显示例8;图16显示例8;图17显示例9;图18A到18F显示电子设备的例子;图19A到19C显示电子设备的例子。 |
