| 主权项 |
1.一种电镀装置,系用于电镀基材之电镀装置,包括:具有一个用以装载及卸载基材之装载/卸载单元之装载/卸载段,以及用以自该装载/卸载单元转运该基材之第一基材转运装置;具有至少一个用以加工该基材之加工单元,具有至少一个用以电镀该基材之电镀单元之电镀段,以及一个用以将该基材转运至该电镀单元之第二基材转运装置之加工段;使空气供入该加工段之第一空气供应系统;以及独立于该第一空气供应系统以外使空气供入该电镀段之第二空气供应系统。2.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该加工单元包括用以夹持该基材之基材夹持器。3.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该电镀单元包括用以盛装电镀溶液之电镀容器。4.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该第二转运装置于该第一转运装置、该加工单元及该电镀单元之间转运基材。5.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该第一空气供应系统具有用以将空气供应至该加工段中之风扇。6.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该第一空气供应系统具有用于该加工段中使空气循环之循环输送管。7.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该第二空气供应系统具有用以将空气供应至该加工段中之风扇。8.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该第二空气供应系统具有用于该加工段中使空气循环之循环输送管。9.如申请专利范围第1项之电镀装置,复包括用以自该电镀段排出空气之空气排出系统。10.如申请专利范围第9项之电镀装置,其中该空气排出系统自该电镀段排出空气俾使该电镀段中之压力低于该加工段中之压力。11.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该电镀段系藉由设置于该加工段中之分隔墙围起来;以及于该分隔墙中界定至少一个开口俾将该基材导入该电镀段。12.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该电镀段具有诸多彼此相邻设置于该第二基材转运装置之一侧的电镀单元。13.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该第二基材转运装置包括可动式机械人。14.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该第二基材转运装置于该电镀段内移动该基材。15.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该加工单元包括用以加热该基材之退火单元。16.如申请专利范围第15项之电镀装置,其中该第二基材转运装置系插入经设置之该退火单元及该电镀单元之间。17.如申请专利范围第1项之电镀装置,其中该加工单元包括用以清洁该基材周边部分之清洁单元。18.如申请专利范围第17项之电镀装置,其中该第二基材转运装置系插入经设置之该清洁单元及该电镀单元之间。19.一种电镀装置,系用于电镀基材之电镀装置,包括:具有一个用于装载及卸载基材之装载/卸载单元,至少一个用以加工该基材之加工单元,具有至少一个用以电镀该基材之电镀单元之电镀段,以及用以将该基材自装载/卸载单元转运至该电镀单元之基材转运装置之加工段。20.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该加工单元包括用以夹持该基材之基材夹持器。21.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该电镀单元包括用以盛装电镀溶液之电镀容器。22.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该转运装复将该基材转运至该加工单元。23.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该第一空气供应系统具有用以将空气供应至该加工段中之风扇。24.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该第一空气供应系统具有用于该加工段中使空气循环之循环输送管。25.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该第二空气供应系统具有用以将空气供应至该加工段中之风扇。26.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该第二空气供应系统具有用于该加工段中使空气循环之循环输送管。27.如申请专利范围第19项之电镀装置,复包括用以自该电镀段排出空气之空气排出系统。28.如申请专利范围第27项之电镀装置,其中该空气排出系统自该电镀段排出空气俾使该电镀段中之压力低于该加工段中之压力。29.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该电镀段系藉由设置于该加工段中之分隔墙围起来;以及于该分隔墙中界定至少一个开口俾将该基材导入该电镀段。30.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该电镀段具有诸多彼此相邻设置于该基材转运装置之一侧的电镀单元。31.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该基材转运装置包括可动式机械人。32.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该基材转运装置于该电镀段内移动该基材。33.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该加工单元包括用以加热该基材之退火单元。34.如申请专利范围第33项之电镀装置,其中该基材转运装置系插入经设置之该退火单元及该电镀单元之间。35.如申请专利范围第19项之电镀装置,其中该加工单元包括用以清洁该基材周边部分之清洁单元。36.如申请专利范围第35项之电镀装置,其中该基材转运装置系插入经设置之该清洁单元及该电镀单元之间。图式简单说明:第1A至1C图系显示用于半导体基材中,形成互连线之方法之实例之概略图;第2图系显示根据本发明第一个实施例之电镀装置整个排列之平面图;第3图系显示如第2图所示之电镀装置之空气流动之示意图;第4图系显示如第2图所示之电镀单元主要部分之放大剖面图;第5图系显示如第4图所示之电镀加工容器之平面图;第6图系显示如第2图所示之电镀装置之电镀溶液流动之概略图;第7图系显示如第4图所示之头部之局部放大图;第8图系显示由于实施CMP未经半导体基材之斜面蚀刻程序而导致助生层及阻障层残留于斜面部分之状态的概略图;第9图系概略地显示如第2图所示之斜面及背面清洁单元之纵断面图;第10图系概略地显示根据本发明之一实施例之可旋转夹持机构之侧视图;第11图系第10图之平面图;第12图系显示如第10图之可旋转夹持机构中夹持构件详细内容之局部侧视图;第13图系依第12图之XIII-XIII线方向观看之局部底视图;第14图系显示如第2图所示之退火单元之概略平面图;第15图系第14图之纵断面图;第16图系显示根据本发明另一个实施例之电镀装置中一电镀单元之剖面图;第17图系显示根据本发明另一个实施例之电镀装置中一电镀单元之剖面图;第18图系显示根据本发明另一个实施例之电镀装置中一电镀单元之剖面图;第19图系显示根据本发明另一个实施例之电镀装置中一电镀单元之剖面图;第20图系显示根据本发明另一个实施例之电镀装置中一电镀单元之剖面图;第21图系显示根据本发明另一个实施例之电镀装置中电镀加工时电镀单元整个结构之剖面图;第22图系显示非电镀加工时(转运基材时),如第21图所示之电镀单元整个结构之剖面图;第23图系显示保养时,如第21图所示之电镀单元整个结构之剖面图;第24A至24D图系电镀加工时及非电镀加工时,如第21图之电镀单元之电镀溶液流动之概略示意图;第25图系第21图所示之电镀单元之局部放大图;第26图系如第21图所示之电镀单元中,正値基材转运时外壳、加压环及基材之间关系之剖面示意图;第27图系如第21图所示之电镀单元中置中机构之放大剖面图;第28图系如第21图所示之电镀单元中供电接点(探针)之剖面图;第29图系显示根据本发明另一个实施例之电镀装置整个排列之平面图;第30图系显示根据本发明另一个实施例之电镀装置整个排列之平面图;第31图系基材电镀装置之一实例之平面图;第32图系显示如第31图之基材电镀装置中气流之概略图;第33图系如第31图所示之基材电镀装置中各区间之气流之剖面图;第34图系置于无尘室中,如第31图所示之基材电镀装置之透视图;第35图系另一个基材电镀装置实例之平面图;第36图系又另一个基材电镀装置实例之平面图;第37图系又另一个基材电镀装置实例之平面图;第38图系该半导体基材加工装置之平面结构实例之示意图;第39图系显示该半导体基材加工装置之另一个平面结构实例之示意图;第40图系显示该半导体基材加工装置又另一个平面结构实例之示意图;第41图系显示该半导体基材加工装置又另一个平面结构实例之示意图;第42图系显示该半导体基材加工装置又另一个平面结构实例之示意图;第43图系显示该半导体基材加工装置又另一个平面结构实例之示意图;第44图系显示如第43图所说明之半导体基材加工装置各别步骤之流程图;第45图系显示斜面及背面清洁单元之结构实例示意图;第46图系显示无电电镀装置实例之概略结构示意图;第47图系显示另一个无电电镀装置实例之概略结构示意图;第48图系退火单元实例之纵断面图;第49图系该退火单元之横断面图;以及第50图系根据本发明另一个实施例之电镀装置整个排列之平面图。 |
