| 主权项 |
1.一种驱动晶片压合点结构,适于配置在一薄膜电晶体阵列基板上一信号配线的末端,以与一驱动晶片上的接点电性连接,该驱动晶片压合点结构至少包括:一衬层,该衬层系配置于该薄膜电晶体阵列基板上;一第一介电层,该第一介电层配置于该衬层与该基板上;一第一导体层,该第一导体层配置于该衬层与该第一介电层上,而该第一导电层系属于该信号配线的一部份;一第二介电层,该第二介电层配置于该第一导体层与该第一介电层上,且该第二介电层具有一开口以将该第一导体层暴露;以及一第二导体层,该第二导体层配置于该第一导体层上方,且该第二导体层藉由该开口而与该第一导体层电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之驱动晶片压合点结构,其中该薄膜电晶体阵列基板具有复数个薄膜电晶体,而每一该些薄膜电晶体系由一闸极、一闸极绝缘层、一通道层、一源极、一汲极、一保护层以及一画素电极所构成。3.如申请专利范围第1项所述之驱动晶片压合点结构,其中该衬层之材质为一导体层。4.如申请专利范围第1项所述之驱动晶片压合点结构,其中该第一导体层之材质包括铝、钛。5.如申请专利范围第1项所述之驱动晶片压合点结构,其中该第二导体层之材质包括氧化铟锡。6.如申请专利范围第1项所述之驱动晶片压合点结构,其中该第一介电层之材质包括氧化矽、氮化矽。7.如申请专利范围第1项所述之驱动晶片压合点结构,其中该第二介电层之材质包括氮化矽。8.如申请专利范围第2项所述之驱动晶片压合点结构,其中该衬层之材质与该闸极之材质相同。9.如申请专利范围第2项所述之驱动晶片压合点结构,其中该第一导体层之材质与该源极、该汲极之材质相同。10.如申请专利范围第2项所述之驱动晶片压合点结构,其中该第二导体层之材质与该画素电极之材质相同。11.如申请专利范围第2项所述之驱动晶片压合点结构,其中该第一介电层之材质与该闸极绝缘层之材质相同。12.如申请专利范围第2项所述之驱动晶片压合点结构,其中该第二介电层之材质与该保护层之材质相同。图式简单说明:第1A图与第1B图分别绘示为习知扫描配线与信号配线末端之驱动晶片压合点的剖面示意图;第2A图与第2B图系显示玻璃基板表面有无被过度蚀刻之情形对其后续形成之各膜层表面之影响的SEM图;第3图绘示为液晶面板上扫描配线与信号配线末端之驱动晶片压合点的配置示意图;以及第4图绘示为依照本发明一较佳实施例信号配线末端之驱动晶片压合点以及薄膜电晶体的剖面示意图。 |
