| 主权项 |
1.一种积体电路电极之形成方法,其包含:制备一矽基板之步骤,其包含在此基板上形成半导体结构,以形成积体基板结构;在基板结构上沉积一电极材料层之步骤;以及将该电极材料层予以图案化以形成电极元件之步骤,其中该图案化包含于含氟蚀刻气体环境之电浆反应器中,对于电极材料层进行电浆蚀刻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积步骤包含沉积一Ir-Ta-O电极材料层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该制备步骤包含形成一铁电半导体结构。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该图案化步骤包含制备含有氟成分,氧成分以及惰性成分之蚀刻气体5.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻包含自CF4,CHF3,C2F6,SF6以及NF3成分所组成之群组所选出之含氟蚀刻气体。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻包含于室温环境制备CF4/O2/Ar蚀刻气体混合物,并以大约60 sccm流量传送该混合物,其中CF4约30 sccm,O2约5 sccm以及Ar约25 sccm,处理压力约6mTorr,微波功率约600W,基板RF偏压功率约200W。7.如申请专利范围第1项之方法,其中更进一步包含于大约80℃去离子水中,洗涤基板结构与电极元件约20~100分钟。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻包含于约-50℃~200℃之温度范围内,制备含氟成分之蚀刻气体,并以流量约20 sccm~100 sccm,处理压力范围约5 mTorr~50 mTorr,微波功率范围约300W~1000W,基板RF偏压功率约50W~1000W之间传送。9.一种积体电路电极之形成方法,包含:制备一矽基板之步骤,其包含在此基板上形成半导体结构,以形成积体基板结构;在基板结构上沉积一电极材料层之步骤;将电极材料层予以图案化以形成电极元件,其中该图案化包含于含氟蚀刻气体环境之电浆反应器中,对于电极材料层进行电浆蚀刻;以及洗涤该基板结构及电极元件之步骤,其系以约80℃去离子水浴,洗涤基板结构与电极元件约20~100分钟。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该沉积步骤包含沉积一Ir-Ta-O电极材料层。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该制备步骤包含形成一铁电半导体结构。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该图案化步骤包含制备含有氟成分,氧成分以及惰性成分之蚀刻气体。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该蚀刻包含自CF4,CHF3,C2F6,SF6以及NF3成分所组成之群组中所选出之含氟蚀刻气体。14.如申请专利范围第9项之方法,其中该蚀刻包含于室温环境制备CF4/O2/Ar蚀刻气体混合物,并以大约60 sccm流量传送该混合物,其中CF4约30 sccm,O2约5 sccm以及Ar约25 sccm,处理压力约6 mTorr微波功率约600W,基板RF偏压功率约200W。15.如申请专利范围第9项之方法,其中该蚀刻包含于约-50℃~200℃之温度范围内,制备含氟成分之蚀刻气体,并以流量约20 sccm到100 sccm,处理压力范围约5 mTorr到50 mTorr,微波功率范围约300W~1000W,基板RF偏压功率约50W~1000W之间传送。16.一种积体电路电极之形成方法,其包含:制备一矽基板之步骤,其包含在此基板上形成半导体结构,以形成积体基板结构;在基板结构上沉积一电极材料层;将电极材料层予以图案化以形成电极元件,其中该图案化包含于含氟蚀刻气体环境之电浆反应器中,对于电极材料层进行电浆蚀刻,该含氟蚀刻气体系自CF4,CHF3,C2F6,SF6以及NF3成分所组成之群组所选出者;其中该蚀刻进一步包含以流量约20 sccm~100 sccm,处理压力范围约5 mTorr~50 mTorr,微波功率范围约300W~1000W,基板RF偏压功率约50W~1000W,温度约-50℃~200℃传送该蚀刻气体混合物;以及洗涤该基板结构及电极元件之步骤,其系以80℃去离子水浴,洗涤基板结构与电极元件约20~100分钟。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该沉积步骤包含沉积一Ir-Ta-O电极材料层。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该制备步骤包含形成一铁电半导体结构。19.如申请专利范围第16项之方法,其中该图案化包含制备含有氟成分,氧成分以及惰性成分之蚀刻气体。20.如申请专利范围第16项之方法,其中该蚀刻包含于室温环境制备CF4/O2/Ar蚀刻气体混合物,并以大约60 sccm流量传送该混合物,其中CF4约30 sccm,O2约5 sccm以及Ar约25 sccm,处理压力约6 mTorr,微波功率约600W,基板RF偏压功率约200W。图式简单说明:图1为一曲线,说明用于本发明方法之蚀刻气体化学物。图2-4根据本发明方法所建构铁电装置之微影切面图。 |
