发明名称 超音波处理装置及使用其之电子零件之制造方法
摘要 本发明为提供一种超音波处理装置,其系使用比被处理体之超音波被处理区域窄的超音波振荡元件,在整个该超音波被处理区域上均一地照射超音波,有效执行清洗处理及抗蚀剂剥离处理等;及使用其之电子零件的制造方法;系将数个超音波振荡元件配置成一个带状区域,其系在玻璃基板的搬运方向及宽度方向上具有平面扩大,且将这些超音波振荡元件投影在与上述搬运方向垂直之平面上时所获得的投影图,具有大于上述超音波被处理区域的宽度。藉由该配置,以搬运滚轮使上述玻璃基板沿搬运方向移动时,这些超音波振荡元件的部分超音波照射区域重叠在上述玻璃基板上面,完全覆盖该超音波被处理区域来照射超音波。
申请公布号 TW553780 申请公布日期 2003.09.21
申请号 TW089126465 申请日期 2000.12.12
申请人 夏普股份有限公司 发明人 小林 和树;小野 仁史;田草 康仲;疋田 智美;舞田 雄一
分类号 B08B3/08 主分类号 B08B3/08
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种超音波处理装置,其系对被处理体实施超音波处理,其具备:数个振动元件,其系振荡超音波;及相对移动手段,其系以上述振动元件为基准,使上述被处理体沿着特定方向相对移动;上述各振动元件在与上述特定方向概略垂直之宽度方向上具有特定宽度的超音波照射区域上照射超音波,且上述数个振动元件的整体配置,在上述特定方向及宽度方向具有平面扩大,上述数个振动元件构成数个元件行,其系沿着上述宽度方向排列一个以上的振动元件,这些元件行沿着上述特定方向并列配置,同时,将上述数个元件行投影在与上述特定方向垂直之平面上时,构成一个元件行之振动元件的投影区域与构成其他元件行之振动元件的投影区域彼此重叠形成重叠区域,藉由使上述被处理体沿着上述特定方向相对移动,将各振动元件之超音波照射区域合并在上述被处理体的超音波被处理区域上,以完全覆盖该超音波被处理区域来照射超音波。2.如申请专利范围第1项之超音波处理装置,其中上述数个振动元件的整体配置进一步为:将各振动元件投影在与上述特定方向垂直之平面上所获得的投影区域形成一个带状区域,其宽度大于上述超音波被处理区域的宽度。3.如申请专利范围第1或2项之超音波处理装置,其中上述数个振动元件构成数个元件行,其系沿着上述宽度方向排列一个以上的振动元件,这些元件行沿着上述特定方向并列配置,同时,上述振动元件的整体配置,系在对应于绝缘区域的区域上,该绝缘区域系设置在构成一个元件行之邻接之振动元件间,配置构成其他元件行的振动元件。4.如申请专利范围第1项之超音波处理装置,还具备处理液供应手段,其系供应处理液,用于对被处理体实施特定处理。5.如申请专利范围第4项之超音波处理装置,其中上述振动元件系经由上述处理液,在被处理体的超音波被处理区域上照射超音波,同时,还具备喷嘴手段,其系将上述处理液在上述特定方向收缩后,供应至上述被处理体上。6.如申请专利范围第4项之超音波处理装置,其中上述处理液供应手段,系同时在被处理体的上面及下面供应处理液,同时,供应至上面的处理液,自上述振动元件照射超音波。7.如申请专利范围第1项之超音波处理装置,其中上述数个振动元件构成数个元件行,其系沿着上述宽度方向排列一个以上的振动元件,这些元件行沿着上述特定方向并列配置,同时,排列有两个以上振动元件的元件行,在邻接之振动元件间形成特定间隔的元件间隙,且对应于振动元件未配置区域的位置上,该振动元件包含一个元件行之上述元件间隙,配置有构成其他元件行的振动元件,同时,上述元件间隙的间隔大于促使各振动元件绝缘的绝缘间隔。8.如申请专利范围第1项之超音波处理装置,其中上述数个振动元件构成数个元件行,其系沿着上述宽度方向排列一个以上的振动元件,这些元件行沿着上述特定方向并列配置,同时,排列有两个以上振动元件的元件行,在邻接之振动元件间形成特定间隔的元件间隙,并在对应于包含第k行(k:自然数)之元件行之上述元件间隙之振动元件未配置区域的位置上,配置构成第k+1行之元件行的振动元件,同时,上述超音波被处理区域的特定宽度为Lmm,一个上述超音波振荡元件的大小为Mmm,在该宽度Lmm与大小Mmm之间,当(n-1)M≦L<nM的关系式成立时,且n为大于3的自然数,若n为奇数,构成第k行之元件行的振动元件数量规范为(n+1)/2个,构成第k+1行之元件行的振动元件数量规范为(n-1)/2个,另外,若n为偶数时,构成第k行及第k+1行之元件行的振动元件数量均规范为n/2个。9.如申请专利范围第7或8项之超音波处理装置,其中上述数个元件行投影在与上述特定方向垂直之平面上时,构成一个元件行之振动元件的投影区域与构成其他元件行之振动元件的投影区域彼此重叠形成重叠区域,同时,上述重叠区域的宽度在大于上述绝缘间隔,小于一个振动元件大小之1/4的范围内。10.如申请专利范围第1项之超音波处理装置,其中藉由使上述被处理体沿着上述特定方向相对移动,使各振动元件之超音波照射区域的一部分合并在上述被处理体之超音波被处理区域上,以完全覆盖该超音波被处理区域来照射超音波。11.如申请专利范围第1项之超音波处理装置,其中具备流通路径,液体在其流通方向流动,同时,上述数个振动元件设置在上述流通路径内,对上述液体照射超音波,并设置液体供应手段,其系对上述被处理体之超音波被处理区域,其系以上述数个振动元件为基准,在特定方向上相对移动;自设置在上述流通路径端部至少一个液体供应口供应经过超音波照射之上述液体,且位于上述数个振动元件正下游端之液体流通路径,自上游端至下游端,自水平方向向上方任何方向延伸。12.如申请专利范围第11项之超音波处理装置,其中上述数个振动元件配置成,将全部振动元件投影在与上述特定方向垂直之平面上所获得之投影区域A构成一个连续形状,同时,该投影区域A的宽度大于将适切选择之一个振动元件投影在上述平面上所获得之投影区域B的宽度,且大于或等于上述超音波被处理区域之宽度,同时,形成分别对应于上述振动元件之液体供应口宽度大于或等于将其对应之全部振动元件投影在上述平面上时所获得之投影区域C的最大扩大宽度。13.如申请专利范围第12项之超音波处理装置,其中上述数个振动元件构成数个元件行,其系沿着水平面及与上述特定方向垂直之平面所构成之交叉线方向,排列一个以上的振动元件,且这些元件行设置成沿着上述特定方向并列配置,将上述元件行投影在上述平面上时,构成一个元件行之振动元件的投影区域D与构成其他元件行之振动元件的投影区域E部分重叠形成重叠区域。14.如申请专利范围第11项之超音波处理装置,其中上述液体供应手段包含喷嘴手段,其系将经过超音波照射之上述液体收缩,供应至被处理体,且上述数个振动元件设置在该喷嘴手段内。15.如申请专利范围第11项之超音波处理装置,其中上述液体为用于对上述被处理体实施特定处理的处理液。16.如申请专利范围第1或15项之超音波处理装置,其中自上述振动元件照射之超音波的频率在0.1MHz以上,5MHz以下的范围内。17.如申请专利范围第4.5.6或15项中任一项之超音波处理装置,其中还具有加热手段,其系将上述处理液加热。18.如申请专利范围第15项之超音波处理装置,其中还设置处理液供应手段,其系供应用于对上述被处理体实施特定处理的处理液,上述液体供应手段对被处理体的下面供应经过超音波照射之上述液体的处理液,同时,上述处理液供应手段对上述被处理体的上面供应上述处理液。19.如申请专利范围第4.5.6或15项中任一项之超音波处理装置,其中上述处理液为用于清洗被处理体的清洗液。20.如申请专利范围第4.5.6或15项中任一项之超音波处理装置,其中上述处理液为用于剥离形成在被处理体表面之抗蚀剂的抗蚀剂剥离液。21.如申请专利范围第1项之超音波被处理装置,其中上述数个振动元件构成数个元件行,其系沿着上述宽度方向排列有一个以上的振动元件,这些元件行沿着上述特定方向并列配置,同时,在排列有两个以上振动元件的元件行中,在邻接之振动元件间形成特定间隔的元件间隙,将构成邻接之两个元件行之全部振动元件投影在与上述特定方向垂直之平面上时,构成其中一个元件行之振动元件的投影区域与构成其他元件行之振动元件的投影区域部分重叠,构成一个连续形状,其宽度大于或等于上述超音波被处理区域的宽度,同时,各个振动元件的投影区域中,与其他振动元件之投影区域重叠之重叠区域的宽度总和小于未与其他振动元件之投影区域重叠之区域的宽度总和。22.一种电子零件的制造方法,其包含对被处理体实施超音波处理的超音波处理步骤,上述超音波被处理步骤,使用振荡超音波的数个振动元件,将上述数个振动元件构成数个元件行,其系沿着上述宽度方向排列一个以上的振动元件,将这些元件行沿着上述特定方向并列配置,同时,将上述数个元件行投影在与上述特定方向垂直之平面上时,使构成一个元件行之振动元件的投影区域与构成其他元件行之振动元件的投影区域彼此重叠形成重叠区域,藉由使上述被处理体沿着以该振动元件为基准之特定方向相对移动,将各振动元件之超音波照射区域的一部分重叠在上述被处理体之超音波被处理区域上,以完全覆盖该超音波被处理区域来照射超音波。23.如申请专利范围第22项之电子零件的制造方法,其中于各振动元件间确保间隔,其系大于可以促使各振动元件绝缘之绝缘间隔。24.如申请专利范围第22或23项之电子零件的制造方法,其中在上述超音波处理步骤中,照射超音波并供应清洗液,其系用于清洗被处理体;或是抗蚀剂剥离液,其系用于剥离形成在被处理体表面上的抗蚀剂。图式简单说明:图1为本发明一种实施形态之超音波处理装置中之超音波振荡元件配置范例的概略斜视图。图2为适用于图1所示之超音波处理装置之液晶显示元件用玻璃基板的清洗处理步骤图。图3为图1所示之超音波处理装置(超音波清洗装置)之构成的概略剖面图。图4为图1所示之超音波处理装置中之超音波振荡元件配置与玻璃基板对比的说明图。图5(a)、图5(b)、图5(c)分别为图1所示之超音波振荡元件配置之不同重叠区域的说明图。图6为图1所示之超音波处理装置之超音波振荡元件其他配置范例的说明图。图7为本发明其他实施形态之超音波处理装置之超音波振荡元件的配置与玻璃基板对比的说明图。图8为图7所示之超音波处理装置(超音波清洗装置)之构成的概略剖面图。图9为图7所示之超音波处理装置之超音波振荡元件一种配置范例的概略斜视图。图10(a)为图7所示之超音波处理装置之第一行元件行长度与超音波被处理区域宽度之关系的说明图,图10(b)为图7所示之超音波处理装置之第二行元件行长度与上述超音波被处理区域宽度之关系的说明图。图11(a)及图11(b)分别为图7所示之超音波处理装置之上述超音波被处理区域宽度与形成元件行之超音波振荡元件数量之关系的说明图。图12(a)、图12(b)、图12(c)分别为图7所示之超音波振荡元件配置之不同重叠区域的说明图。图13为本发明另外实施形态之超音波处理装置(超音波清洗装置)之超音波振荡元件一种配置范例的概略斜视图。图14为图13所示之超音波处理装置之构成的概略侧面图。图15为垂直方向显示图13所示之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图16为垂直方向显示图13所示之超音波处理装置之超音波振荡元件之其他配置范例的说明图。图17为使用图13所示之超音波处理装置,垂直方向显示玻璃基板上照射超音波状态的说明图。图18为本发明另外实施形态之超音波处理装置(超音波清洗装置)之构成的概略侧面图。图19为垂直方向显示图18所示之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图20为适用于本发明另外实施形态之超音波处理装置之液晶显示元件用玻璃基板的抗蚀剂剥离处理步骤图。图21为适用于图20所示之抗蚀剂剥离处理之本发明另外实施形态之超音波处理装置(抗蚀剂剥离装置)之构成的概略剖面图。图22为图21所示之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图23为本发明另外实施形态之超音波处理装置之构成的概略剖面图。图24为图23所示之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图25为本发明另外实施形态之超音波处理装置之构成的概略剖面图。图26为图25所示之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图27为图25所示之超音波处理装置其他构成范例的概略剖面图。图28为图27所示之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图29为本发明另外实施形态之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图30为本发明另外实施形态之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图31为本发明另外实施形态之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图32为适用于抗蚀剂剥离处理之本发明另外实施形态之超音波处理装置(抗蚀剂剥离装置)之构成的概略侧面图。图33为垂直方向显示图32所示之超音波处理装置之超音波振荡元件之配置与玻璃基板对比的说明图。图34为垂直方向显示图32所示之超音波处理装置之超音波振荡元件其他配置范例的说明图。图35为先前整批方式之超音波处理装置一种构成范例的说明图。图36为先前喷嘴方式之超音波处理装置一种构成范例的说明图。图37为先前湿式处理装置之基本构成的说明图。图38(a)及图38(b)分别为具备图37所示之湿式处理装置之超音波振荡元件一种构成范例的说明图。图39为具备图37所示之湿式处理装置之超音波振荡元件其他构成范例的说明图。图40(a)及图40(b)分别为具备图37所示之湿式处理装置之超音波振荡元件另外构成范例的说明图。图41为先前之其他超音波处理装置一种构成范例的说明图。图42为图36所示之喷嘴方式超音波处理装置中,超音波振荡元件与基板之配置关系在理想状态下的说明图。图43为图36所示之喷嘴方式超音波处理装置中,超音波振荡元件与基板之一种实际配置关系范例的说明图。图44为使用图43所示之喷嘴方式超音波处理装置,对基板实施清洗处理的一种状态范例说明图。图45(a)为一定时间(t小时)清洗处理图44所示之基板时的清洗结果说明图,图45(b)为2倍以上一定时间(2t小时以上)清洗处理图44所示之基板时的清洗结果说明图。图46为使用图43所示之喷嘴方式超音波处理装置,对基板实施清洗处理的其他状态范例说明图。图47(a)为一定时间(t小时)清洗处理图46所示之基板时的清洗结果说明图,图47(b)为2倍以上一定时间(2t小时以上)清洗处理图46所示之基板时的清洗结果说明图。图48为使用图43所示之喷嘴方式超音波处理装置,对基板实施抗蚀剂剥离处理的一种状态范例说明图。图49(a)为以一定时间(t小时)抗蚀剂剥离处理图48所示之基板时的处理结果说明图,图49(b)为以2倍以上一定时间(2t小时以上)抗蚀剂剥离处理图48所示之基板时的处理结果说明图。
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