发明名称 形成去光泽被膜用之光硬化性,热硬化性组成物
摘要 提供一种对于形成去光泽被膜有效之硷水溶液之可显像之光硬化性.热硬化性组成物者。组成物系含有(A)于漆用酚醛型环氧化合物与不饱和单碳酸之酯化物之氢氧基中与饱和或不饱和多盐基酸酐相互反应后取得感光性预聚体、(B)含羧基之共聚树脂、(C)光聚合启发剂、(D)稀释剂、(E)分子中具有至少2个环氧基之多官能环氧化合物、以及必要时含(F)无机填充剂。组成物更可含有(G)环氧树脂用硬化剂。此组成物适于印刷配线板之分析记忆体形成时使用之。
申请公布号 TW554006 申请公布日期 2003.09.21
申请号 TW089102722 申请日期 2000.02.17
申请人 太阳墨水制造股份有限公司 发明人 岩井田悟;大野义弘;矶野正幸;关本晃男
分类号 C08L63/00 主分类号 C08L63/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种形成去光泽被膜用之光硬化性.热硬化性组成物,其特征系含有(A)于酚醛型环氧化合物与不饱和单羧酸之酯化物之氢氧基上使饱和或不饱和多盐基酸酐反应后取得之感光性预聚体、(B)含有羧基之共聚树脂、(C)光聚合启发剂、(D)稀释剂、及(E)分子中具有至少2个环氧基之多官能环氧化合物,其中该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)之掺合比为重量比(A):(B)=100:5~250;光聚合启发剂(C)为100重量份之该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)合计量之0.2~30重量份之比例者;该稀释剂(D)为有机溶剂者,当该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)之合计量为100重量份时,系含30~300重量份比例之稀释剂(D);该稀释剂(D)为光聚合性单体者,当该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)之合计量为100重量份时,系含3~50重量份比例之稀释剂(D);该多官能环氧化合物(E)为100重量份之该感光性预聚体(A)与羧基含有共聚树脂(B)合计量之5~100重量份之比例者。2.一种形成去光泽被膜用之光硬化性.热硬化性组成物,其特征系含有(A)于酚醛型环氧化合物与不饱和单羧酸之酯化物之氢氧基上使饱和或不饱和多盐基酸酐反应后取得之感光性预聚体、(B)含有羧基之共聚树脂、(C)光聚合启发剂、(D)稀释剂、(E)分子中至少具有2个环氧基之多官能环氧化合物、及(F)无机填充物,其中该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)之掺合比为重量比(A):(B)=100:5~250;光聚合启发剂(C)为100重量份之该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)合计量之0.2~30重量份之比例者;该稀释剂(D)为有机溶剂者,当该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)之合计量为100重量份时,系含30~300重量份比例之稀释剂(D);该稀释剂(D)为光聚合性单体者,当该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)之合计量为100重量份时,系含3~50重量份比例之稀释剂(D);该多官能环氧化合物(E)为100重量份之该感光性预聚体(A)与羧基含有共聚树脂(B)合计量之5~100重量份之比例者。3.如申请专利范围第1项或第2项之组成物,其中更含有(G)环氧树脂用硬化剂。4.如申请专利范围第1项或第2项之组成物,其中该含羧基之共聚树脂(B)系至少1种选自(b-1)不饱和羧酸与其他含有不饱和双键之化合物之共聚物、(b-2)具有不饱和羧酸与其他不饱和双键化合物之共聚物之羧基中使部份含有环氧基不饱和化合物反应之后取得之预聚体,及(b-3)含有环氧基之共聚物之环氧基中使含有羧基之化合物进行加成反应后,所生成之氢氧基中使饱和或不饱和多元酸酐反应后取得之预聚体所组成群中之树脂者。5.如申请专利范围第1项或第2项之组成物,其中该感光性预聚体(A)与含有羧基之共聚树脂(B)之掺合比为重量比(A):(B)=100:5~<100者。6.如申请专利范围第1项或第2项之组成物,其中该光聚合启发剂(C)为至少1种选自苯乙酮类、二苯甲酮类、苯偶因及其烷醚类、缩酮类、吨酮、类、有机过氧化物类、硫醇化合物、以及有机卤化合物所组成群中之化合物,该感光性预聚体(A)为100重量份时含有0.2~30重量份之比例者。7.如申请专利范围第1项或第2项之组成物,其中该多官能环氧化合物(E)为难溶于所使用之稀释剂(D)之环氧树脂、或该难溶性环氧树脂与可溶于所使用稀释剂(D)之环氧树脂之混合物者。8.如申请专利范围第2项之组成物,其中该无机填充剂具有15ml/100g以上之吸油量者。9.如申请专利范围第1项或第2项之组成物,其中该组成物更含有着色颜料者。10.如申请专利范围第1项或第2项之组成物,其中该组成物更含有消泡剂或均化剂者。11.如申请专利范围第1项或第2项之组成物,其系用于印刷配线基板,该印刷配线基板系由光硬化性.热硬化性组成物之图案化硬化记忆体被膜所组成,形成有被膜表面之根据ASTM D 523-89所得之60总値为50以下之抗蚀剂被膜。
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