| 主权项 |
1.一种半导体元件改良结构,其包括有:一晶粒,其包含有P型、N型半导体,以及介于P型与N型半导体之间的PN接面,并以线路重布的表面金属层于晶粒同一表面上形成二分别与P型半导体、N型半导体对应电性连接的电极,该二电极间为同表面充填绝缘材的沟槽予以隔离区隔;一导线架,其具有分别焊接于晶粒电极上的引脚;以及一胶体,系包覆于晶粒外侧,并显露出导线架之引脚,作为外部连接之用,构成引脚位于同一侧面之半导体元件结构。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件改良结构,其中晶粒为P型半导体在上、N型半导体在下之型体。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件改良结构,其中晶粒为N型半导体在上、P型半导体在下之型体。4.如申请专利范围第1.2或3项所述之半导体元件改良结构,其中连接下层半导体之金属层系自晶粒底面经侧面延伸顶面形成电极,与连接上层半导体的金属层直接形成之电极位于晶粒同一表面。5.如申请专利范围第4项所述之半导体元件改良结构,其中充填于晶粒沟槽中之绝缘材为玻璃。6.如申请专利范围第4项所述之半导体元件改良结构,其中充填于晶粒沟槽中之绝缘材为氧化矽。7.如申请专利范围第4项所述之半导体元件改良结构,其中设于晶粒上之金属层为镍。8.如申请专利范围第4项所述之半导体元件改良结构,其中设于晶粒上之金属层为金。图式简单说明:第一图:系本创作之平面示意图。第二图:系本创作未设导线架、胶体前之晶粒俯视平面示意图。第三图:系本创作以表面黏着技术焊设于电路板上之平面示意图。 |
