| 主权项 |
1.一种高分子化合物,其特征为含有如下述一般式(1)或(2)表示的环状矽元素之基者,(式中R1.R2.R3.R6.R7.R10.R11.R12.R13表示为氢原子,或碳数为1至20的直链状、分支状或环状的烷基,R4.R5.R8.R9表示为氢原子、碳数为1至20的直链状、分支状或环状的烷基、或碳数为6至20的芳基、p,q,r,s表示为0至10的整数,1≦p+q+s≦20)。2.如申请专利范围第1项的高分子化合物,其中含有1种或2种以上的下述一般式(3)至(8)所表示之重复单位者,(式中R14表示为氢原子,或碳数为1至20的直链状、分支状或环状的烷基,R15表示为氢原子或碳数为1至10的烷基、t,u,w表示为1≦t≦5.u表示为0或1.0≦w≦5,R1至R13.p,q,r,s表示与上述意义相同)。3.一种增强化学性正片型光阻材料,其特征为含有(A)如申请专利范围第1项或第2项的高分子化合物、(B)酸产生剂、有机溶剂者。4.一种增强化学性正片型光阻材料,其特征为含有(A)申请专利范围第1项或第2项的高分子化合物(B)酸产生剂、(C)有机溶剂具有酸不安定基的溶解阻止剂者。5.如申请专利范围第3项或第4项的增强化学性正片型光阻材料,其中添加(E)硷性化合物者。6.一种图型形成方法,其含有(1)将申请专利范围第3.4或5项中任一项的光阻材料涂布于被加工基板上的有机膜上,经烧烤形成光阻膜的步骤、(2)上述光阻膜介着光罩以放射线照射的步骤、(3)因应必要经烧烤后,以硷性水溶液显像后溶解上述光阻膜的照射部分,形成光阻图型的步骤、(4)显露出的有机膜部分使其产生氧素电浆,以乾燥蚀刻装置进行加工之步骤。 |
