| 主权项 |
1.一种形成一贵金属薄膜之方法,其包含以下步骤:(a)在一基板上形成一牺牲膜,并在该牺牲膜上堆叠一不同蚀刻特性之遮罩层;(b)形成具有一预定图案之开口穿通该遮罩层;(c)蚀刻暴露在该开口中的该牺牲膜,并在该遮罩层的该开口之边界上侧蚀刻该牺牲膜一预定量;(d)沉积一贵金属薄膜在该基板的整个表面上;及(e)溶解及移除该牺牲膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(d)沿着相对于一基板法线方向倾斜的一方向来沉积贵金属粒子。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)形成复数个开口,而相邻开口间之遮罩层的宽度为3到40m。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲膜之厚度为相对于该贵金属薄膜之厚度的0.7到1倍。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板包含一下基板及形成在该下基板上的一第一绝缘膜,而该方法进一步包含一步骤(f)来移除在该贵金属薄膜之下的该下基板。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该下基板为一矽基板,而该第一绝缘膜为一氧化矽膜。7.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含一步骤(g),其在该第一绝缘膜上形成一第二绝缘膜,在步骤(f)之前覆盖该贵金属薄膜。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二绝缘膜为一氧化矽膜。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲膜系由金属制成。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该金属为钛。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该遮罩层系由绝缘体制成。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该步骤(d)沿着相对于一基板法线方向倾斜的一方向来沉积贵金属粒子。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该步骤(b)形成复数个开口,而相邻开口间之遮罩层的宽度为3到40m。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该牺牲膜之厚度为相对于该贵金属薄膜之厚度的0.7到1倍。15.如申请专利范围第11项之方法,其中该基板包含一下基板及形成在该下基板上的一第一绝缘膜,而该方法进一步包含一步骤(f)来蚀刻在该贵金属薄膜之下的该下基板。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该下基板为一矽基板,而该第一绝缘膜为一氧化矽膜。17.如申请专利范围第15项之方法,进一步包含一步骤(g),其在该第一绝缘膜上形成一第二绝缘膜,在步骤(f)之前覆盖该贵金属薄膜。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该第二绝缘膜为一氧化矽膜。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该遮罩层系由氧化矽或氮化矽所制成。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该贵金属为铂。图式简单说明:图1A到1H所示为形成一贵金属薄膜图案之方法的一系列处理之范例的架构性横截面图,及图1I及1J为一温度感测器之架构性横截面图及一架构性平面图。图2A及2B所示为在一基板上形成贵金属薄膜晶粒粒子之入射角之间的关系,及一完成的贵金属薄膜图案之侧壁的锥形或倾斜角的关系之架构性横截面图。图3A到3D所示为根据相关技艺之形成一贵金属薄膜图案之方法的一系列处理之范例的架构性横截面图。图4A到4C所示为根据相关技艺之形成一贵金属薄膜图案之方法的一系列处理之范例的架构性横截面图。图5所示为说明磁控管喷溅之架构性横截面图。 |
