发明名称 频率变换器
摘要 藉由包含:电晶体对,具有集极端子们与射极端子们为分别以共通相连接之第一电晶体及第二电晶体,共通集极端子为通过第一电阻而被连接于电源端子;第三电晶体,具有通过第二电阻而连接于电源端子之集极端子及连接于电晶体对之共通射极端子之射极端子;第三电阻,一端连接于电晶体对之共通射极端子,而另一端以通过定电流源而接地;及输出端子,连接于电晶体对之共通集极端子,而使得频率变换器系即使于低电压及/或低电流动作时也可得到良好之饱和特性及失真特性。
申请公布号 TW554607 申请公布日期 2003.09.21
申请号 TW091104947 申请日期 2002.03.15
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 谷口英司;泽海千惠美;末松宪治;前田宪一;生岛贵之;上马弘敬;高桥贵纪
分类号 H03D7/00 主分类号 H03D7/00
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种频率变换器,包含:电晶体对,具有第一端子们和第二端子们为分别以共通相连接之第一电晶体及第二电晶体,而以共通相连接之第一端子(以下总称为第一共通端子)为通过第一被动端子而连接于电源端子;第三电晶体,具有:第一端子,通过第二被动元件而连接于上述电源端子;及第二端子,与上述电晶体对共通而连接(以下总称为第二共通端子):第三被动元件,一端被连接于上述电晶体对之第二共通端子,而另一端以直接或间接予以接地;及输出端子,被连接于上述电晶体对之第一共通端子;其特征在于:于上述第一电晶体之第三端子来输入第一信号,而于上述第二电晶体之第三端子来输入为上述第一信号之反相之第二信号,于前述电晶体对之第二共通端子来输入第三信号,而于上述第三电晶体之第三端子来输入参考信号。2.如申请专利范围第1项所述之频率变换器,其中,具有可连接于第三电晶体之第一端子之其他输出端子。3.如申请专利范围第1项所述之频率变换器,其中,第一至第三被动元件为电阻。4.如申请专利范围第1项所述之频率变换器,其中,第一至第三被动元件为电感。5.如申请专利范围第1项所述之频率变换器,其中,具有可连接于第三被动元件之另一端与接地端之间之定电流源。6.如申请专利范围第1项所述之频率变换器,其中,第一至第三电晶体之各个为具有做为第一端子之集极端子、做为第二端子之射极端子、及做为第三端子之基极端子之双极接面电晶体。7.如申请专利范围第1项所述之频率变换器,其中,第一至第三电晶体之各个为具有做为第一端子之集极端子、做为第二端子之射极端子、及做为第三端子之基极端子之场效应电晶体。8.一种频率变换器,包含:第一电晶体对,具有第一端子们和第二端子们为分别以共通相连接之第一电晶体及第二电晶体,而以共通相连接之第一端子(以下总称为第一共通端子)为通过第一被动端子而连接于电源端子;第三电晶体,具有:第一端子,通过第二被动元件而连接于上述电源端子;及第二端子,与上述第一电晶体对共通而连接(以下总称为第二共通端子);第二被动元件,一端被连接于上述第一电晶体对之第二共通端子,而另一端以直接或间接予以接地;第一输出端子,被连接于上述第一电晶体对之第一共通端子;第二电晶体对,第一端子们和第二端子们为分别具有以共通相连接之第四电晶体及第五电晶体,而以共通相连接之第一端子(以下总称为第一共通端子)为通过第三被动端子而连接于上述电源端子;第六电晶体,具有以直接或间接地被连接于上述电源端子之第一端子、及可与上述第二电晶体对共通而连接之第二端子(以下总称为第二共通端子)相连接之第二端子;第四被动元件,一端被连接于上述第二电晶体对之第二共通端子,而另一端以直接或间接予以接地;及第二输出端子,被连接于上述第二电晶体对之第一共通端子;其特征在于:于上述第一电晶体及第五电晶体之第三端子来输入第一信号,而于上述第二电晶体及第四电晶体之第三端子来输入为上述第一信号之反相之第二信号,于前述第一电晶体对之第二共通端子来输入第三信号,并于上述第二电晶体对之第二共通端子来输入为上述第三信号之反相之第四信号而于上述第三电晶体及第六电晶体之第三端子来输入参考信号。9.如申请专利范围第8项所述之频率变换器,其中,第三电晶体之第一端子为通过第五被动元件而连接于电源端子,而第六电晶体之第一端子为通过第六被动元件而连接于上述电源端子。10.如申请专利范围第8项所述之频率变换器,其中,第三电晶体之第一端子为被连接于第二输出端子而且通过第三被动元件而连接于电源端子,第六电晶体之第一端子为被连接于第一输出端子而且通过第一被动元件而连接于上述电源端子。11.如申请专利范围第8项所述之频率变换器,其中,第一至第四被动元件为电阻。12.如申请专利范围第8项所述之频率变换器,其中,第一至第四被动元件为电感。13.如申请专利范围第9项所述之频率变换器,其中,第一至第六被动元件为电阻。14.如申请专利范围第9项所述之频率变换器,其中,第一至第六被动元件为电感。15.如申请专利范围第8项所述之频率变换器,其中,具有可连接于第三被动元件及第四被动元件之另一端与接地端之间之定电流源。16.如申请专利范围第8项所述之频率变换器,其中,具有可连接于第三被动元件及第四被动元件之另一端与接地端之间之电阻。17.如申请专利范围第8项所述之频率变换器,其中,第一至第六电晶体之各个为具有做为第一端子之集极端子、做为第二端子之射极端子、及做为第三端子之基极端子之双极接面电晶体。18.如申请专利范围第8项所述之频率变换器,其中,第一至第六电晶体之各个为具有做为第一端子之集极端子、做为第二端子之射极端子、及做为第三端子之基极端子之场效应电晶体。图式简单说明:图1系显示习知之频率变换器之构成之概略电路图。图2系显示该发明之实施形态一之频率变换器之构成之概略电路图。图3系显示该发明之实施形态一之一变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图4系显示该发明之实施形态一之其他变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图5系显示该发明之实施形态一之其他变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图6系显示该发明之实施形态一之其他变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图7系显示该发明之实施形态一之其他变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图8系显示该发明之实施形态二之频率变换器之构成之概略电路图。图9系显示该发明之实施形态三之频率变换器之构成之概略电路图。图10系显示该发明之实施形态三之一变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图11系显示该发明之实施形态三之其他变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图12系显示该发明之实施形态三之其他变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图13系显示该发明之实施形态三之其他变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图14系显示该发明之实施形态三之其他变形例之频率变换器之构成之概略电路图。图15系显示该发明之实施形态三之构成之概略电路图。图16系显示该发明之实施形态四之构成之概略电路图。图17系显示该发明之实施形态五之构成之概略电路图。
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