半导体封装件

摘要

一种半导体封装件，其包含一基板，该基板上系定义有至少一晶片接置区，并于该晶片接置区各角端位置上预先布妥复数个具特定厚度之凸块，其中，该等凸块皆为热熔性材质制成，且各凸块涂布厚度系取决于基板受热弯曲时晶片接置区两侧距离水平面之垂直高度差，因此，当载有半导体晶片及供其黏着胶黏剂之半导体装置实施烘烤作业时，基板表面之凸块将因高温导致融熔，是以无论基板受热弯曲或晶片接置区内胶黏剂难以遍及所产生之晶片底部空隙皆能为流动状态之热熔凸块填满，使晶片与基板间完全接合，藉以杜绝模压制程时气洞的形成。

主权项

1.一种半导体封装件,系包括:一基板,该基板具有一第一表面及一相对之第二表面,其中,该第一表面上预设有至少一晶片接置区,俾供一胶剂涂布其上,并于该胶剂无法遍及之晶片接置区内形成有复数个凸块;至少一半导体晶片,系藉该胶剂黏置该基板之晶片接置区上,并与该基板间形成电性连接关系;以及一用以包覆该半导体晶片之封装胶体。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该胶剂为银胶。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凸块系为热熔性材料所构成者。4.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凸块系为选自拒焊剂(Solder Mask)、环氧树脂(epoxy)、及银胶(silverpaste)等所组组群之一者。5.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凸块之涂布厚度系取决于该晶片接置区两侧受热弯曲距离水平面之高度。6.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凸块系布设于该晶片接置区之角端部位上。7.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凸块的高度介于0.02 mm至0.07mm间。8.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凸块的高度以0.025mm为最佳。图式简单说明:第1图系习知半导体封装件中该半导体晶片黏接于胶黏剂之相对关系图;第2图系封装完成之习知半导体封装件之剖面示意图;第3图系本发明第一实施例之半导体封装件之剖面示意图;第4图系本发明半导体封装件所用基板进行烘烤测试时之剖面示意图;第5图系本发明半导体封装件进行置品制程中之剖面示意图;以及第6图系本发明半导体封装件施以烘烤作业中之剖面示意图。