用于包装半导体电路元件及光学半导体电路元件以形成密封的气室封装之方法

摘要

藉由在该晶片周围形成三个部件-基座、侧边和遮盖之围封，而将半导体电路元件(晶片)被并入水气不可渗透的电子封装中。该晶片首先被焊接或黏合在该基座，接着将该些侧壁固定在该基座，最后将该遮盖固定在该些侧壁上。对于包括导热基座与高焊接温度的程序而言，该晶片可以在高焊接温度下固定在该基座，然后在明显较低的温度使该些侧壁施用在该基座，以避免对于该些侧壁之潜在的高温损害。因此，暴露在高焊接温度会变差或变弯曲的塑胶侧壁可以被使用。对于一般的电子封装而言，塑胶侧壁的使用除了允许用于该基座与遮盖之不相容材料组合的使用外，同时可以减少或消除由于制造、组合、测试或封装使用期间发生应力破损而产生的损坏影响。

主权项

1.一种用于包装半导体电路元件以形成密封的气室封装的方法,该方法包含:(a)在超过250℃的温度,将该半导体电路元件焊接在导热的基座;(b)在(a)步骤完成之后,在低于200℃的温度下藉由在该些侧壁与该金属基座之间形成一密封,而将侧壁的塑胶框固定在该金属基座上方,藉此在该半导体电路元件周围形成部分的围封,具有导电的导线之该塑胶框或该热传导基座已经被预先形成,使得该些导线贯穿该部分的围封;(c)使该半导体电路元件之电路与该些导线的电气连接;和(d)将一遮盖固定在该部分的围封,藉此将该半导体电路元件装在一实质上气体不能渗透的外罩中。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该步骤(a)的温度是在300℃至400℃范围中。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该步骤(b)的温度是在125℃至185℃范围中。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该导热的基座是一由铜、铜是主要成分之铜合金、铁-镍合金和铁-镍-钴合金组成之群组中选出,而且该遮盖是塑胶的材料。5.如申请专利范围第1项的方法,其中该导热的基座是由三氧化二铝、氧化铍、氮化铝、氮化矽以及由氧化钡、矽石或氧化铜组成的群组选出之成分改质的三氧化二铝所组成的群组选出的成分,而且该遮盖是玻璃。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该塑胶框是由芳香族聚酯或液晶聚合物形成。7.如申请专利范围第1项的方法,其中该塑胶框与该遮盖两者都是由热塑性聚合物形成。8.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤(b)包含使用由环氧树脂黏着剂、聚醯胺、矽酮、酚树脂、聚枫和苯氧黏着剂组成之群组中选出的可热固化聚合物黏着剂,将该塑胶框焊接在该基座上。9.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤(b)和(d)包含在125℃至185℃范围中的温度,使用可热固化聚合物黏着剂,分别将该塑胶框固定在该基座,以及将该遮盖固定在该塑胶框。10.一种用于包装一光学半导体电路元件以形成密封的气室封装的方法,该方法包含:(a)在125℃至175℃范围中的温度,使用可热固化聚合物黏着剂将该半导体电路元件固定在一基座;(b)在(a)步骤完成之后,在低于200℃的温度下藉由在该些侧壁与该金属基座之间形成一密封,而将侧壁的塑胶框固定在该金属基座上方,藉此在该半导体电路元件周围形成部分的围封,具有导电的导线之该塑胶框或该热传导基座已经被预先形成,使得该些导线贯穿该部分的围封;(c)使该半导体电路元件之电路与该些导线的电气连接;和(d)将一遮盖固定在该部分的围封,藉此将该半导体电路元件装在一实质上气体不能渗透的外罩中,该遮盖具有小于该基座的热膨胀系数之0.5倍的热膨胀系数。