| 主权项 |
1.一种改善低介电常数薄膜之光阻残渣(Scum)的方法,至少包括:形成一低介电常数薄膜覆盖在一基材上,其中该低介电常数薄膜至少包括复数个悬浮键(Dangling Bonds);进行一电浆处理步骤,藉以修补该低介电常数薄膜之该些悬浮键;以及形成一底部抗反射覆盖层(BARC)覆盖在该低介电常数薄膜上。2.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中进行该电浆处理步骤时至少包括使用一纯氢气当作反应气体。3.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中进行该电浆处理步骤时至少包括使用一氢气以及一钝气(Inert Gas)当作反应气体。4.如申请专利范围第3项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该氢气的含量介于约5%至约20%之间。5.如申请专利范围第3项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该钝气为氯气(He)。6.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中进行该电浆处理步骤时,更至少包括使用一射频电力(RF Power)大于约200瓦特(W)。7.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中进行该电浆处理步骤时,更至少包括使用一偏压电力(Bias Power)大于约100瓦特。8.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该电浆处理步骤之进行时间介于约30秒至约180秒之间。9.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中形成该底部抗反射覆盖层之步骤系利用矽甲烷(SiH4)以及氨气(NH3)。10.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中形成该底部抗反射覆盖层之步骤系利用四乙氧基矽甲烷(TEOS)以及氨气。11.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该底部抗反射覆盖层之材料为氮氧化矽(SiON)。12.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中形成该底部抗反射覆盖层之步骤系利用矽甲烷以及二氧化碳(CO2)。13.如申请专利范围第1项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该底部抗反射覆盖层之材料为碳氧化矽(SiOC)。14.一种改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,至少包括:提供一基材;形成一低介电常数薄膜覆盖在该基材上;进行一氢电浆处理步骤,藉以使得该低介电常数薄膜达到键结饱和;以及形成一底部抗反射覆盖层覆盖在该低介电常数薄膜上。15.如申请专利范围第14项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中进行该氢电浆处理步骤时至少包括使用一纯氢气当作反应气体。16.如申请专利范围第14项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中进行该氢电浆处理步骤时至少包括使用一氢气以及一钝气当作反应气体。17.如申请专利范围第16项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该钝气为氦气。18.如申请专利范围第16项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该氢气的含量介于约5%至约20%之间。19.如申请专利范围第14项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中进行该氢电浆处理步骤时,更至少包括使用一射频电力大于约200瓦特。20.如申请专利范围第14项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中进行该氢电浆处理步骤时,更至少包括使用一偏压电力大于约100瓦特。21.如申请专利范围第14项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该氢电浆处理步骤之进行时间介于约30秒至约180秒之间。22.如申请专利范围第14项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该底部抗反射覆盖层之材料为氮氧化矽。23.如申请专利范围第14项所述之改善低介电常数薄膜之光阻残渣的方法,其中该底部抗反射覆盖层之材料为碳氧化矽。图式简单说明:第1图至第4图为绘示习知在低介电常数薄膜中形成双重金属镶嵌结构之开口的制程剖面图;以及第5图至第8图为绘示本发明之一较佳实施例之在低介电常数薄膜中形成双重金属镶嵌结构之开口的制程剖面图。 |
