| 主权项 |
1.一种从一矽基板生产一微机电光学元件之制程,包括:至少二光学传播波导管(2-5),特别是用以接收光纤者;一壁(6),可根据该传播波导管(2-5)而移动;一静电致动器(10),可使得该活动壁(6)相对于该基板之其余(21)而移动,而该致动器包括:可相对于彼此而移动之正对电极(11.12),其中,一些该电极(12)被机械地连接到该活动壁(6),而其他该电极(11)则被扣在该基板之其余(21)上;至少一梁(15.16)所形成产生于该基板之转回构件,系相对于该电极(11.12)之彼此移动,其特征在于:其所使用之基板是由单晶矽所制成,其(111)结晶平面平行于基板平面(20);其包括一第一系列的深活离子蚀刻步骤,以不同値界定活动壁(6)、致动器(11,12)之电极、以及致动器转回构件之梁(15,16)之高度(h1.h2.h3);以及其包括一第二湿蚀刻步骤,可从基板之其余释放活动壁(6)、电极(11,12)、以及梁(15,16)。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其特征在于,在该深活离子蚀刻步骤前,其包含有定义该光学传播波导管(25)、该活动壁(6)、该电极(11.12)、及该致动器转回构件(15.16)之后续位置的一遮罩步骤。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其特征在,其包含二连续的深活离子蚀刻步骤,亦即:一第一深活离子蚀刻步骤,以定义该活动壁、该电极、以及该致动器转回构件之高度;以及一第二深活离子蚀刻步骤,以初始定义后续湿式蚀刻步骤之体积。4.如申请专利范围第3项所述之制程,其特征在于,在该二深活离子蚀刻步骤之间,进行以下叙述:首先,沈积一二氧化矽(SiO2)层(30)在该初始蚀刻之区域;以及接着,移除沈积在该初始蚀刻区域之底层(31)之二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其特征在于,在该深离活离子步骤期间,定义位于该致动器转回构件之梁(80)之每一侧的一些小保护梁(81),而该小保护梁(81)藉由小面积的连结部(82)而被加入该致动器转回构件的该梁(80),并且在其中,该小保护梁会在该湿式蚀刻期间被从该基板之其余释放。6.如申请专利范围第1项所述之制程,其特征在,在该湿式蚀刻步骤之后,实施一金属化步骤。7.一种从一矽基板晶圆产生之微机电光学元件,包括:至少二光学传播波导管(2-5)特别是用以接收光纤者;一壁(6),可根据通道而移动;一静电致动器(10),可使得该活动壁(6)相对于该基之其余(21)而移动,该致动器包括:可相对于彼此而移动之正对电极(11.12),其中,一些该电极(12)被机械地连接到该活动壁(6),而其他该电极(11)则被扣在该基板之其余(21)上;至少一梁(15.16)所形成产生于该基板之转回构件,系相对于该电极(11.12)之彼此移动,其特征在于:其所使用之基板系由单晶矽所制成,其(111)结晶平面平行于基板平面;以及该活动壁(6)、该致动器电极(11.12)、以及致动器转回构件之梁(15.16)具有不同値之高度。8.如申请专利范围第7项所述之元件,其特征在,其至少在该活动壁(6)及该电极(11.12)上具有一金属层(40)。9.如申请专利范围第7项所述之元件,其特征在,其更包含位于该致动器转回构件之梁(80)之每一侧的一些小保护梁(81),而该小保护梁(81)藉由小面积的连结部(82)而被加入该致动器转回构件的该梁(80)。10.如申请专利范围第7项所述之元件,其特征在,其包括两个同直线光学传播波导管。11.如申请专利范围第7项所述之元件,其特征在,其包括两对同直线光学传播波导管(2-5),而且,每一对与另一对互相垂直。图式简单说明:第一图:其系为根据本案所产生光学开关之主要区域的整体透视图;第二图(a)-(h):其系为根据本发明所产生微元件之基础构件结构所在区域以及本发明之制程各式连续步骤之剖面图;第三图(a)-(c):其系表示蚀刻所产生之三种深度程度,例如:活动壁、电极、及转回构件之梁,如先前产生制程之剖面图;第四图(a)-(c):其系表示产生电极之各式步骤的剖面图;第五图:其系为包含第四图(a)-(c)中所举例电极之区域的上视图;第六图(a)-(c):其系为转回构件之梁区域之剖面图,其显示根据本案实施之制程步骤;第七图:其系为转回构件之梁区域的部分上视图;第八图:其系为第七图所显示区域之整体透视图;以及第九及十图:其系为二实施例变化所产生之二传播波导管的剖面图。 |
