| 主权项 |
1.一种侦测光线之结构,包含:一光感测器;一第一滤色器,沉积在光感测器上;以及一保护性高交链且高密度高分子层,置于第一滤色器周边。2.如申请专利范围中第1项之结构,进一步包含:一胶带,施加至高交链且高密度高分子层上,用于在研磨/金制程时保护第一滤色器。3.如申请专利范围中第1项之结构,进一步包含:一第二滤色器,该第二滤色器阻挡掉与被第一滤色器所阻挡掉的不同色光,第二滤色器系邻接在第一滤色器周边的保护性高交链且高密度高分子层。4.如申请专利范围中第1项之结构,其中该保护性高交链且高密度高分子层是将第一滤色器曝露到紫外光下所形成的,该紫外光在硬烤热制程中,具有193奈米到248奈米的波长。5.一种制造光侦测结构之方法,包含:在基材上的第一光二极体上,形成第一滤色器;在硬烤热制程中,将滤色器-光二极体的组合曝露到紫外光下,在第一滤色器上,形成一第一保护层,以便在滤色器-光二极体的组合上,形成高交链且高密度高分子层;以及形成一第二滤色器,系邻接第一保护层。6.如申请专利范围中第5项之方法,其中该紫外光具有193奈米到248奈米的波长。7.如申请专利范围中第5项之方法,进一步包含以下步骤:将一胶带施加至高交链且高密度高分子层上;研磨光侦测结构的表面;以及从高交链且高密度高分子层上去除掉该胶带。8.如申请专利范围中第5项之方法,进一步包含以下步骤:在基材上的第二光二极体上,制作一第二滤色器,该第二滤色器被设计成吸收掉与该第一滤色器不同的波长光线;将第二滤色器在硬烤热制程中,曝露到高强度紫外光下。9.如申请专利范围中第5项之方法,进一步包含以下步骤:在滤色器-光二极体的组合曝露到矽烷基化合物之前,将第一滤色器,曝露到显影剂溶液中,以去除掉过多的材料。10.一种产生数位影像之结构,包含:一基材;复数个光侦测器,在该基材上形成;复数个滤色器,该复数个滤色器中的每个滤色器具有一输入被该复数个滤色器中的一滤色器所覆盖住,该复数个滤色器中的一第一滤色器被设计成阻挡掉第一频率的光线,而该复数个滤色器中的一第二滤色器被设计成阻挡掉第二频率的光线;支援电子装置,结合从复数个光侦测器中的至少二光侦测器所得到的资料,产生彩色数位影像;以及一支链高分子保护层,保护该复数个光侦测器。11.如申请专利范围中第10项之结构,其中该支援电子装置利用复数个光侦测器之间的点,藉内插处理,以结合资料。12.如申请专利范围中第10项之结构,其中该交链高分子保护层的厚度在500与1,000奈米之间。13.如申请专利范围中第10项之结构,其中该交链高分子保护层是将高分子曝露到强紫外光辐射下所形成的。14.如申请专利范围中第10项之结构,其中该交链高分子保护层覆盖住每个滤色器,使得该交链高分子保护层被夹在相邻滤色器之间。15.一种侦测光线之结构,包含:一感测光线装置;一过滤色光装置,由该感测光线装置所接收;一保护过滤色光装置之装置,该装置保护利用保护性交链高分子层。16.如申请专利范围中第15项之结构,进一步包含:一黏性胶带,黏贴到保护过滤色光装置之装置上。17.如申请专利范围中第15项之结构,其中该保护过滤色光装置之装置包含一材料层,是在上升应烤热制程中,曝露到强紫外光下所形成的。18.如申请专利范围中第15项之结构,其中该感测光线装置包含一光二极体,从矽所制作出来的。19.如申请专利范围中第15项之结构,其中该过滤色光装置包含一颜料聚丙烯酸酯高分子。图式简单说明:图1A-1E是依据本发明实施例中滤色器阵列在不同制程阶段中的剖示图。图2A-2E是依据本发明另一实施例中滤色器阵列在不同制程阶段中的剖示图。图3是使用依据本发明实施例中滤色器之装置的剖示图。图4是显示依据本发明方法中滤色器以及滤色器周围保护层的制作步骤流程图。 |
