| 主权项 |
1.一种化学机械抛光组成物,其包含烧磨蚀剂及0.01至5.0重量百分比的至少一种Cs+硷性盐。2.如申请专利范围第1项之化学机械抛光组成物,其中该烧磨蚀剂系为烧氧化铝。3.如申请专利范围第1项之化学机械抛光组成物,其中该烧磨蚀剂含有1至50重量百分比之烧二氧化铝。4.如申请专利范围第1项之化学机械抛光组成物,其包含第二磨蚀剂。5.如申请专利范围第4项之化学机械抛光组成物,其中该第二磨蚀剂系为胶态二氧化矽。6.如申请专利范围第1项之化学机械抛光组成物,其中该抛光组成物系以至少50%的开放场效率抛光含矽基板。7.如申请专利范围第1项之化学机械抛光组成物,其中该抛光组成物系以至少85%的阵列场效率抛光含矽基板。8.如申请专利范围第1项之化学机械抛光组成物,其包含1至20重量百分比之烧二氧化矽。9.如申请专利范围第1项之化学机械抛光组成物,其中该Cs+硷性盐系为CsOH。10.如申请专利范围第9项之化学机械抛光组成物,其中该Cs+硷性盐系为CsOH。11.一种化学机械抛光组成物,其包含1至25重量百分比之烧二氧化矽及0.1至2.0重量百分比的CsOH。12.一种化学机械抛光组成物,其可抛光闸极宽度少于0.25微米的积体电路且包含1至50重量百分比的金属氧化物磨蚀剂及0.01至5.0重量百分比的Cs+硷性盐。13.如申请专利范围第12项之化学机械抛光组成物,其中该Cs+硷性盐系为CsOH。14.一种使用抛光垫使含矽基板平坦化的方法,其包含下列步骤:(a)制备包含水及至少一种Cs+硷性盐的抛光组成物;(b)将该抛光组成物施加于平坦化中的基板表面;(c)使抛光垫与平坦化中的含矽基板表面接触;及(d)使该抛光垫与平坦化中的含矽基板表面相对运动,其中磨蚀剂系结合该抛光组成物一同使用。15.如申请专利范围第14项之方法,其中在将该化学机械抛光组成物施加至平坦化中的基板表面之前,先将该磨蚀剂添加于该化学机械抛光组成物中。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该磨蚀剂系加入抛光垫中。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该抛光组成物系以至少50%的开放场效率抛光含矽介电层。18.如申请专利范围第14项之方法,其中该抛光组成物系以至少85%的阵列场效率抛光含矽介电层。19.如申请专利范围第14项之方法,其中基板系为包含积体电路的晶圆,而该积体电路具有少于0.25微米的闸极。20.如申请专利范围第14项之方法,其中该含基板层系为二氧化矽。21.如申请专利范围第14项之方法,其中该抛光组成物Cs+硷性盐系为CsOH。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该抛光组成物包含0.01至5.0重量百分比的CsOH。23.如申请专利范围第14项之方法,其中该磨蚀剂系为烧二氧化矽。24.一种使用抛光垫使含有积体电路之晶圆的二氧化矽介电层平坦化的方法,而该积体电路具有至少一个少于0.25微米的闸极;该方法包含下列步骤:(a)制备包含水及0.1至2.0重量百分比之CsOH的抛光组成物;(b)将该抛光组成物施加至平坦化中的基板表面;(c)使抛光垫与该二氧化矽介电层的基板表面接触;及(d)使该抛光垫与该二氧化矽介电层相对运动,其中烧二氧化矽磨蚀剂系结合该抛光组成物一同使用,且其中该抛光组成物系以至少50%的开放场效率及至少85%的阵列场效率抛光该含矽介电层。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该烧二氧化矽系于将该化学机械抛光组成物施加至平坦化中之基板表面前,先添加至该化学机械抛光组成物中。26.如申请专利范围第24项之方法,其中该烧二氧化矽系加至该抛光垫中。图式简单说明:图1系适合使用本发明之组成物和方法来平坦化的半导体晶圆的一部份的简化侧切开图;图2显示图1所示晶圆于研磨后的情形;图3系适合使用本发明之组成物和方法来使浅沟隔离平坦化之半导体晶圆的一部份的侧切开图;图4为图3的晶圆,包括因效率很低的平坦化可产生的瑕疵;图5系根据实例2中叙述之方法所测试的CsOH(A&B)、KOH(C)及NH4OH(D)浆液其抛光时间对阶高的曲线图。曲线图中的「抛光时间」一词系指抛光基板的时间(以秒计)曲线图的「阶高度」一词系指积体电路制造期间外构形之高点至低点的距离。当建构元件时,表面构形即产生且其会经由随后的薄膜沈积而长存。阶高度通常是以埃计;及图6系根据实例2中描述的方法来测试的浆液其场变化量对阶高度的曲线图。 |
