| 主权项 |
1.一种改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,主要包含:一基板;一电子阻剂层,形成于该基板上方;以及至少一层抗电子反射层,形成于该基板、与该电子阻剂层之间,其中,该抗电子反射层系允许一电子束循入射方向通过而达到访基板内部,并减少该电子束中经由该基板内部反射而返回至该电子阻剂层之电子数量。2.如申请专利范围第1项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层之原子序系小于该基板之原子序。3.如申请专利范围第1项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层之原子排列系比该基板之原子排列来得松散。4.如申请专利范围第1项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层之原子间隙系大于该基板之原子间隙。5.如申请专利范围第4项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层中提供该电子由入射方向通过之原子间隙,系大于该电子经由该基板内部反射而通过该抗电子反射层之原子间隙。6.如申请专利范围第4项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层之原子间隙系沿垂直于一电子束入射方向大于该基板于同一方向之原子间隙。7.如申请专利范围第1项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该基板系为一矽晶圆基板。8.如申请专利范围第1项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层系以沉积薄膜方式成形于该基板上。9.如申请专利范围第1项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层系为二氧化矽薄膜。10.如申请专利范围第1项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层系由碳所构成。11.如申请专利范围第1项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中该抗电子反射层之数量为二层。12.如申请专利范围第11项所述改善电子束近接效应之抗电子反射层结构,其中一层抗电子反射层系由碳所构成并邻接于该基板,另一层抗电子反射层系为二氧化矽薄膜并邻接于该电子阻剂层。13.如申请专利范围第11项所述改善电子束近接效应之反射层结构,其中一层抗电子反射层系由铝所构成并邻接于该基板,另一层抗电子反射层系为氮化矽薄膜并邻接于该电子阻剂层。图式简单说明:第1图系习知电子束近接效应之示意图。第2a图系本发明第一实施例之剖视示意图。第2b图系本发明第一实施例之微观示意图。第3a图系本发明第二实施例之示意图。第3b图系本发明第三实施例之示意图。第4图系本发明第四实施例之示意图。 |
