| 主权项 |
1.一种排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,包括:提供一晶圆,该晶圆上已形成有复数个晶粒,且在该晶圆上发现有一重复性缺陷存在;确认该重复性缺陷是否为一影响良率之缺陷;倘若该重复性缺陷并非该影响良率之缺陷,则定义该重复性缺陷所存在之一区域为一排除区域;以及扫瞄该晶圆上该排除区域以外之部分,以找出一真正缺陷。2.如申请专利范围第1项所述之排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,其中该排除区域之面积系为该晶圆上每一晶粒面积的1/250000。3.如申请专利范围第1项所述之排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,其中该重复性缺陷系来自一微影制程中之一光罩上之异常图案。4.如申请专利范围第3项所述之排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,其中倘若该重复性缺陷会系为该影响良率之缺陷,则退回该光罩。5.一种排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,包括:提供一晶圆,该晶圆上已形成有复数个晶粒;进行一第一扫瞄步骤,以确认该晶圆上是否有一重复性缺陷存在;倘若该晶圆上并无该重复性缺陷存在,则立即找出一真正之缺陷,倘若该晶圆上有该重复性缺陷存在,则确认该重复性缺陷是否为一影响良率之缺陷;在确认该重复性缺陷是否为该影响良率之缺陷之后,倘若该重复性缺陷并非该影响良率之缺陷,则将该重复性缺陷排除;以及进行一第二扫瞄步骤,以扫瞄该晶圆上之该重复性缺陷以外之区域,以找出该真正之缺陷。6.如申请专利范围第1项所述之排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,其中将该重复性缺陷排除,之后进行该第二扫瞄步骤,以找出该真正之缺陷之步骤包括:定义该重复性缺陷所存在之一区域为一排除区域;以及进行该第二扫瞄步骤,以扫瞄该排除区域以外之部分,以找出该真正之缺陷。7.如申请专利范围第6项所述之排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,其中该排除区域之面积系为该晶圆上每一晶粒面积的1/250000。8.如申请专利范围第5项所述之排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,其中该重复性缺陷系来自一微影制程中之一光罩上之异常图案。9.如申请专利范围第8项所述之排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷的方法,其中倘若该重复性缺陷会系为该影响良率之缺陷,则退回该光罩。图式简单说明:第1图是依照本发明一较佳实施例之排除不影响良率之重复性缺陷来监控真正缺陷之方法的流程图;以及第2图是有重复性缺陷存在之一晶圆的上视简图。 |
