场发射装置及其制造方法

摘要

本发明系提供一种展现一致的场发射性质之场发射装置及其制造方法。该场发射装置包含形成于基板上之金属层、形成于该金属层上之电流限制层、以及复数个形成于该电流限制层上之奈米碳管发射器。该电流限制层系限制从该金属层流至该奈米碳管发射器之特定电流值。该电流限制层系能以展现正温度系数(positive temperature coefficient；PTC)性质之陶瓷或聚合物材料而形成。