| 发明名称 | 半导体晶片以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在Si基板(11)上形成渐变SiGe Buffer层(12)和SiGe Buffer层(13)，并且在其上面形成小于等于临界膜厚的应变Si层(14)，由此来降低对应变Si层(14)与SiGe Buffer层(13)的界面所施加的应力，实现结晶缺陷密度低的应变Si层(14)，并且通过利用比Si的晶格常数大的SiGe Cap层(21)覆盖应变Si层(14)表面，防止了应变Si层(14)在后段工序中因牺牲氧化而消失，从而实现了能够在其上面形成栅极氧化膜的高品质的应变Si晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1905208A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610108936.1 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 永野元;齐藤芳彦 |
| 分类号 | H01L29/02(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片，其特征在于，包括：半导体基板；作为缓冲层的第1半导体层，其形成在上述半导体基板上，并具有与上述半导体基板不同的晶格常数；作为应变半导体层的第2半导体层，其形成在上述第1半导体层上；和作为帽层的第3半导体层，其形成在上述第2半导体层上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||