| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von einem Silizium auf Isolator Halbleiterbauelement |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69431770(T2) |
申请公布日期 |
2003.09.18 |
| 申请号 |
DE19946031770T |
申请日期 |
1994.02.15 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
RHEE, TAE POK |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/336;H01L21/762;H01L27/00;H01L29/423;H01L29/772;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/772;H01L21/76;H01L21/265;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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