主权项 |
1.一种溅镀靶,其系实质上由Si所成之溅镀靶者;其 特征为,以X射线绕射法测定该靶之溅镀面的晶面 取向时,Si之(111)面的尖峰强度[I(111)]、与(220)面之 尖峰强度[I(220)]的比率[I(111)/I(220)]在1.80.3之范围 。 2.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中具备相对密 度在70%以上95%以下之范围的Si烧结材料。 3.如申请专利范围第2项之溅镀靶,其中靶整体之该 相对密度的偏差在30%以内。 4.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中具有维氏硬 度在Hv300以上Hv800以下之范围的硬度。 5.如申请专利范围第4项之溅镀靶,其中靶整体之该 维氏硬度的偏差在30%以内。 6.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中氧含量在0. 01质量%以上1质量%以下之范围。 7.如申请专利范围第6项之溅镀靶,其中靶整体之该 氧含量的偏差在30%以内。 8.如申请专利范围第1~7项中任一项之溅镀靶,其系 形成氧化膜用靶者。 9.如申请专利范围第1~7项中任一项之溅镀靶,其系 做为光学薄膜之形成用靶使用者。 10.一种矽氧化膜之制造方法,其特征为具备使用申 请专利范围第1~7项中任一项之溅镀靶,在含氧气的 气体环境中溅镀成膜,形成矽氧化膜之步骤。 11.如申请专利范围第10项之矽氧化膜的制造方法, 其中该矽氧化膜为光学薄膜者。 12.一种溅镀装置,其特征系具备:申请专利范围第1~ 7项中任一项之溅镀靶、与藉由使用上述溅镀靶在 含氧的气体环境中以磁控溅镀方式进行溅镀,而形 成矽氧化膜之基板。 |