发明名称 溅镀靶与使用其制造矽氧化膜之方法
摘要 矽溅镀靶系,于以X射线绕射法测定溅镀面的晶面取向之际,矽之(111)面的尖峰强度[I(111)]与(220)面之尖峰强度[I(220)]的比率[I(111)/I(220)]为1.8±0.3之范围者;矽溅镀靶,具备例如相对密度为70%以上95%以下之范围的矽烧结材料;依如此之矽溅镀靶,能改善矽氧化膜等溅镀膜的膜厚特性及成膜成本等。
申请公布号 TWI287047 申请公布日期 2007.09.21
申请号 TW093129103 申请日期 2004.09.24
申请人 东芝股份有限公司;东芝高新材料公司 发明人 渡边光一;铃木幸伸;石上隆
分类号 C23C14/34(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种溅镀靶,其系实质上由Si所成之溅镀靶者;其 特征为,以X射线绕射法测定该靶之溅镀面的晶面 取向时,Si之(111)面的尖峰强度[I(111)]、与(220)面之 尖峰强度[I(220)]的比率[I(111)/I(220)]在1.80.3之范围 。 2.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中具备相对密 度在70%以上95%以下之范围的Si烧结材料。 3.如申请专利范围第2项之溅镀靶,其中靶整体之该 相对密度的偏差在30%以内。 4.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中具有维氏硬 度在Hv300以上Hv800以下之范围的硬度。 5.如申请专利范围第4项之溅镀靶,其中靶整体之该 维氏硬度的偏差在30%以内。 6.如申请专利范围第1项之溅镀靶,其中氧含量在0. 01质量%以上1质量%以下之范围。 7.如申请专利范围第6项之溅镀靶,其中靶整体之该 氧含量的偏差在30%以内。 8.如申请专利范围第1~7项中任一项之溅镀靶,其系 形成氧化膜用靶者。 9.如申请专利范围第1~7项中任一项之溅镀靶,其系 做为光学薄膜之形成用靶使用者。 10.一种矽氧化膜之制造方法,其特征为具备使用申 请专利范围第1~7项中任一项之溅镀靶,在含氧气的 气体环境中溅镀成膜,形成矽氧化膜之步骤。 11.如申请专利范围第10项之矽氧化膜的制造方法, 其中该矽氧化膜为光学薄膜者。 12.一种溅镀装置,其特征系具备:申请专利范围第1~ 7项中任一项之溅镀靶、与藉由使用上述溅镀靶在 含氧的气体环境中以磁控溅镀方式进行溅镀,而形 成矽氧化膜之基板。
地址 日本
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