具有用于功率传递与在中间频率范围去耦合之嵌入式电容器阵列之封装以及其形成方法

摘要

本发明之一实施例提供一种装置，其用于提供一低杂讯电源封装至一中间频率范围为1 MHz至3 GHz之IC，包含在该封装中安装嵌入式离散陶瓷电容器阵列且选用地安装平面电容器层。另一实施例提供一种装置，其用于提供一低杂讯电源封装至一中间频率范围为1 MHz至3GHz之IC，包含使用具有不同谐振频率之一嵌入式离散陶瓷电容器阵列，该等电容器系以一方式配置，使得在临界中间频率范围中，该电容器阵列之阻抗相对于频率曲线产生在一目标阻抗值处或低于该目标阻抗值之阻抗值。