发明名称 半导体记忆体及记忆体系统
摘要 复数单元阵列分配有不同之位址,且存取资讯部保持显示同时活化之前述单元阵列数之存取有效资讯。阵列控制部回应存取要求而将对应存取有效资讯之单元阵列活化,并回应强制存取要求,将未对应存取有效资讯之单元阵列强制活化。藉此,可于提供存取要求前,将未对应存取有效资讯且已钝化之单元阵列活化。因而,当同时活化之单元阵列之数少时,可在不中断存取动作下执行。结果,在不使存取效率降低下,可使耗费电力为最小限度,而可存取单元阵列。
申请公布号 TW200737226 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095111205 申请日期 2006.03.30
申请人 富士通股份有限公司 发明人 小林广之
分类号 G11C8/06(2006.01) 主分类号 G11C8/06(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本