Rekristallisiertes Siliziumkarbid mit hohem Widerstand, antikorrosives Bauteil, Verfahren zur Herstellung des rekristallisierten Siliziumkarbids mit hohem Widerstand, und Verfahren zur Herstellung des antikorrosiven Bauteils,申请号DE19996003768T-传众专利搜索

发明名称	Rekristallisiertes Siliziumkarbid mit hohem Widerstand, antikorrosives Bauteil, Verfahren zur Herstellung des rekristallisierten Siliziumkarbids mit hohem Widerstand, und Verfahren zur Herstellung des antikorrosiven Bauteils
摘要
申请公布号	DE69903768(T2)	申请公布日期	2003.09.18
申请号	DE19996003768T	申请日期	1999.06.21
申请人	NGK INSULATORS, LTD.	发明人	AIHARA, YASUFUMI;INOUE, KATSUHIRO
分类号	C04B35/565;C04B35/573;C04B38/00;C04B41/53;C04B41/91;(IPC1-7):C04B38/00	主分类号	C04B35/565
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